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                爱普生晶振,TG5032SFN晶振,TCXO晶振

                频率:10MHZ~40MHZ

                尺寸:5.0*3.2mm

                5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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                爱普生晶振,TG5032SFN晶振,TCXO晶振

                  EPSON爱普生公司成立于19425月,总部位于日本长野县诹访市,是数码映像领域的全球领先企业。 爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)将进一步究极用精微加工发挥石英材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出体积更小、更高性能或全新功能的电子元器件。爱普生晶振在32.768KHZMHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一。 主要产品系列:无源晶振、有源晶振、可编程晶振。独创QMEMS技术,生产出更小、更高性能和全新功能的晶振产品。全球晶振产品市场占有率最大。可编程晶振能适应各种客户的独特需求

                  爱普生(EPSON)晶振,全称为爱普生拓优科梦,成立于1942,总部在日本,是全球数一数二的晶振制造商。在日本本地有三个制造工厂,同时和日本精工也有合作。主要生产的晶体产品有:SMD crystalDIP crystal石英晶体振荡器、温补晶振、压控石英水晶振子、VC-TCXO等等,由于其制造工艺处于世界顶尖水平,价格也是相对于其他∞平牌要高。被广泛的应用于各类计量仪表、医疗电子设备、汽车电子和各类高端消费类电子产品.

                爱普生晶振,TG5032SFN晶振,TCXO晶振

                爱普生株式会社EPSON晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客。

                创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品;并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动。

                爱普生株式会社EPSON晶振不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预』防污染。

                在设定环保目的与目标展开活动的同时,定期重审环境管理体系,努力提高环保活动的水平。

                爱普生株式会社EPSON晶振通过与地区的交流及社会贡献活动,为地区的环保做贡献。

                将环保活动的信息向公司内外公开,积极努力的与地区社会及相关人员建立信赖关系,为社会的发展做出贡献。

                通过此方针的︾公文化,在向公司员工及从事本事业领域业务的所有相关人员彻底传达的同时,也向公司外部公开。

                爱普生晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量。

                爱普生晶振集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况。另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准。

                精工爱普生晶振集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等。

                EPSON晶振尽可能的采用无害的原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物。集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用。

                根据需要,提高环境技术、材料和产品的发展信息及环境管理活动的公开性。

                爱普生晶振公司的目标是保证产品继续满足客户要求的同时对环境的影响降到最小,在生产过程中不断节约能源和资源,努力实现环境管理体系与环境行为持续改进。

                承诺保护环境,重视员工、客户和公众的健康和安全。我们从事任何活动,都要以注重安全和环保方式,并考虑到生态系统的复杂性和相关性。建立目标指标、监测程序,利用最好的管理手段,应用节约成本的技术,持续改进我们的环境表现。我们承诺采取积极的、预防性的战略管理来对自然环境和地方社区的影响最小化。

                TG5032SFN

                项目 符号 TG5032SFN
                (Clipped sine wave)
                条件
                VC-TCXO TCXO
                输出频率范围 f0 10 MHz ~ 40 MHz  
                10, 12.8, 19.2, 20, 24.576,
                25, 25.6, 26, 30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz
                标准频率
                电源电压 VCC C: 3.3 V ± 5 % (标准)
                (电源电压范围 : 2.375 V ~ 3.63 V)
                 
                储存温度范围 T_stg -40°C ~ +90°C 裸存
                工作温度范围 T_use G: -40 °C ~ +85°C  
                a) 频率初期公差 f_tol ± 1.0 × 10-6Max. 在回流焊后, +25 °C
                b) 频率温度特征 fo-TC A: ± 0.1 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
                H: ± 0.25 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
                B: ± 0.28 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
                频率 (fmax + fmin) / 2 基准
                c) 频率负载变动特征 fo-Load ± 0.1 × 10-6 Max. Load ±10 %
                d) 频率电源电压特征 fo-VCC ± 0.1 × 10-6 Max. Vcc ± 5 %
                e) 频率老化 f_age ± 0.5 × 10-6 Max +25°C , 第一年
                ± 3.0 × 10-6 Max. +25°C , 20年
                Holdover stability
                (温度固定)
                - ± 0.01 × 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) 工作开始10日后基准
                ± 0.04 × 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) 工作开始48时间∴后基准
                Wander generation
                ( MTIE, TDEV )
                - - 符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262
                Free-run accuracy - ± 4.6 × 10-6 Max. 这包括项目a), b), c), d), e)
                功耗 ICC 5.0 mA Max.  
                输入电阻 Rin 100 kΩ Min. - VC- GND (DC)
                频率控制范围 f_cont ± 5 × 10-6 ~ ± 10 ×10-6 - D : VC= 1.5 V ± 1.0 V
                 at VCC = 3.3V
                E : VC= 1.65 V ± 1.0 V
                 at VCC = 3.3V
                输出电压极
                VPP 0.8 Min. 峰 - 峰值
                振荡启动时间 t_str 5.0 ms Max. 在90 % VCC 时,所需时间为0 秒
                输出负载 Load 10 kΩ / 10 pF  


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                晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一.


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