“SG7050VAN 100.000000M-KEGA3”爱普生株↑式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON—YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司①到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶〒体振荡器（TCXO）。1996年2月在中国〖苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.

日本精工爱普生晶振接受ω　了中国苏州政府2007 年的招『商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会╲社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

“SG7050VAN 100.000000M-KEGA3”爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合』制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决∑　定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的○独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术☆和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,贴片晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器,压控石英水晶振荡子,等出售给我们的客户.

“SG7050VAN 100.000000M-KEGA3”爱普生晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野下就像我提ㄨ到的∏,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会

爱普生晶振,SG7050VAN晶振,进口差分晶振

“SG7050VAN 100.000000M-KEGA3”爱普生拓♀优科梦把半导体（IC）称之为“产业之米”,并认为晶体元器件更是离不开的“产业之盐”将进一步致力于小型,高稳定,高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生◤活新蓝图开拓广阔前景.爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.
那我们说说爱普生KHZ的产品工△艺吧,爱普生KHZ产品分有圆柱DIP和贴片SMD.KHZ中爱普生是以32.768KHZ最为出名的. 32.768K晶振是一款数字电路板都要使用到的重要部件,有人比喻为电路板的心跳发生器,也就是说心如果停止了跳动,那么电路板也将无法进行稳定的工作了〗.32.768K中爱普生C-002RX是一款受欢迎的圆柱音叉晶振,体积只有2*6mm.精工的VT-200-F,西铁城的CFS206,KDS的DT-26同体积№同参数.因此说道的四款型号晶振都是可以相互替换使用的.只是有客户比较钟爱某个品牌,或者是上级有要求一定要用什么品牌的.C-002RX具有的优点有
1,超小型、薄型、质地轻的音叉圆柱晶振,使焊接更为方便简单.
2,具备优良的耐热性【、耐环境特性
3,金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.
爱普生除此C-002RX晶振,C-001也是工艺中比较常用到的音叉晶振,体积大概◇只有3*8mm.只是2*6体积稍微小一点,比较受广发消费者的爱戴.同此相比,当然也有比2*6更小的体积了↑,例如体积只有5*1.5mm的C-004R圆柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振.价格相对来说都是比较贵的.因为体积小就意味着占用空间小.
KHZ贴片系列,爱普生在这一系列上做的可是相当的卓越,将贴片晶振最小体积做到了2.05*1.25*0.35mm.在这之前最小的体积基本上就是3.2*1.5mm.爱普生的不断突破使其在市场上占有绝对的优势.只是这款贴〗片晶振价格是相当的昂贵.因为里面晶片磨的越小,就代表工艺越复杂.该贴片晶振具有的优点

1,高精度小型表面贴片型石英晶体谐振器

2,轻薄型不小型化为高端产品带来了更大的方便

3,可发挥□　优良的电气特性

4,金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.

项目	符号	规格说明		条件
		LV-PECL	LVDS
		SG3225EAN SG5032EAN SG7050EAN	SG3225VAN SG5032VAN SG7050VAN
输出频率范围	f0	73.5 MHz to 700 MHz		请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。
电源电压	VCC	K : 2.5 V to 3.3 V		VCC = ±10 %
储存温度范围	T_stg	-40 °C to +125 °C		存储为单一产品
工作温度范围	T_use	B : -20 °C to +70 °C G : -40 °C to +85 °C
频率稳定度	f_tol	C : ±20 × 10-6 E : ±30 × 10-6 J : ±50 × 10-6
功耗	ICC	65 mA Max.	30 mA Max.	OE = VCC L_ECL = 50 Ω or L_LVDS = 100 Ω f0 = 700 MHz
输出禁用电流	I_dis	20 mA Max.		OE = GND
占空比	SYM	45 % to 55 %		在输出交叉点
输出电压 (LV-PECL)	VOH	VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V	-	DC 特征
	VOL	VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V	-
输出电压 (LVDS)	VOD	-	250 mV to 450 mV	VOD1 , VOD2	DC 特征
	dVOD	-	50 mV Max.	dVOD = | VOD1 - VOD2 |
	VOS	-	1.15 V to 1.35 V	VOS1 , VOS2
	dVOS	-	150 mV Max.	dVOS = | VOS1 - VOS2 |
输出⊙负载条件 (ECL) / (LVDS)	L_ECL	50 Ω	-	终止于 VCC - 2.0 V
	L_LVDS	-	100 Ω	连接到 OUT 与 OUT之间
输入电压	VIH	70 % VCC Min.		OE 终端
	VIL	30 % VCC Max.
上升/下降时间	tr/tf	350 ps Max.	-	20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ).
		-	300 ps Max.	20 % ~ 80 %微分输出 峰-峰值
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.		在电源电压最低时，所需时间为 0 秒
相位抖动	tPJ	0.6 ps Max. *1		抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz
频率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.		+25 °C , 第一年 VCC = 2.5 V or 3.3 V