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                Macrobizes晶体单』位技术参考资料

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                浏览:- 发布日期:2024-02-20 15:51:54【
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                Macrobizes晶体单位技术参考资料

                晶体单位的解释

                1等效电路

                晶体单元的振动实际上是机械振动。然而,如果石英晶体单元的行为是电转换的,则它可以用二端网络来表示。由L1、C1和R1组成的串联电路与弹性振动有关,而与串联臂并联的C0元件则是一个电容,电容由石英晶体片的电介质构成。电阻R1是晶体单元在串联谐振频率下的谐振电阻。(见图1 .)

                Fig.1 Equivalent Circut of Crystal Unit

                2频率-温度


                AT切割的特性目前最常用的AT切割晶振晶体单元的频率-温度特性由三次曲线表示。(见图2)以在给定工作温度范围内获得∏所需频率容差的角度切割晶片。然而,实际上,由于连续过程中切∩割和抛光精度的结果,表观切割角可能存在一些Ψ差异。因此,有必要提高加工精度。

                Frequecny-Temperature Characteristics of an AT-Cut Crystal Units


                3级驱动

                由于晶体单元执行机械振动,过多的振动可能导致不稳定的振荡频率,并在最坏的情况下最终导致破坏。设计振荡电路时,应检查驱「动水平,以便使用低于本公司规定水平的振荡器。图3示出了确认驾驶水平的示例方法。该方法采用电流探针来测量石英晶体振荡器电流。在这种情况下,驱动级别如下:
                Example Method of Confirming a Level of Drive

                4负载电容

                当在振荡电路【中使用时,负载电容CL是决定晶体单元“条件”的一个因素。在普通振荡电路中,晶体单元在用作感抗的范◇围内使用。在这种☆用法中,振荡电路作为容抗工作。换句话说,当从贴片晶振晶体单元的两端观察振荡电路时,振荡电路可以表示为负电阻-R和电容CL的串联电路。当时这个电容称为负载电容。负载电容和振荡频率之间的关系不是线性的。当负载电容小时,频率变化量大,当负载电容增加时,频率变化降低。如果振荡电路中的负载电容减小以确保〗振荡频率的较大容差,则即使电路中的微小变化◇也会极大地影响频率稳◎定性。负载电容可●以是任何值,但10~30pF更好。


                5晶体振荡电路的等效电路

                当晶体单元作为振荡电路中的感抗被激活时,晶体单元和振荡电路之间的关系如图4所示。为了改善振荡电路的启动条件,最好增加振荡电路的参数负电阻-R的值。如果负电阻容差不大(负电阻较小)的电路与具有较大谐振电阻的石英晶体单①元组合在一起,启动条件会变得更糟。振荡电路应设计成负电阻值是谐振电阻的5到10倍。负载电容的中心值(用于确定振荡频率的绝对值)和可变范围(振荡频率的微调范围)也必须保持在振荡电路中的最佳值。
                Equivalent Circut of Crystal Oscillation Circut

                6振荡电路

                下面介绍由晶体单元组成的典型振荡电路。例如,使用的元素常数。

                Example of C-MOS Oscillation Circuit ( Fundamental )
                (1)晶体单元被设计为具有100 W及以下的较低驱动限制水平。使用前,应在实际安装电路中检△查晶体电流。(参见图3 .)
                必须检查电路的负电阻。根据图6可以确认负电阻。负电阻的目标是谐振电阻的5倍或更多倍。
                (3)当用于C-MOS振荡电路时,电路图中的Rd是不可或缺的。(见图5 .)如果∑ 连接该Rd,驱动水平将保持在规定值内,并且可以获得稳定的振荡频率。
                (4)Cg和Cd应在10?30pF。如果Cg和Cd在10pF以下或30pF以上使用,振荡可能很容易受到电路性能的▼影响,驱动电平可能会增加,或者负电阻可能会降低,从而无法保持稳定的振荡。
                (5)晶体振荡¤电路的布局应尽可能短。应该减少电路和接☆地图案之间的杂散电容。应该避免¤晶体振荡电路图案与其他电路图案交叉。
                (6)如果使用的电路、IC类型和IC制造商』不同,应确认频率、驱动水平和负电√阻。
                *泛音振荡电路需要额外咨♀询
                Example Method of Negative Resistance Measurement



                晶体单元应用的7个注意事项

                (1)当在运输或电路板安装时施加超过规定的过度冲击和振动时,小体积贴片晶振晶体元件有可能断裂。当一个冲击超过规定时,一定要做特性确认,增加↘一个振动。
                (2)超声【波清洗可能导致晶体单元退化。
                (3)在引线类型的情况Ψ 下,将其留在引线基础上并弯曲0.5或更多。
                (4)极端电路板的变形有时会导致图案脱落、端子和电极脱落、焊料裂纹。在特殊安装后分割电路板时,请小心将其安装在电路板曲线明显出】现的位置。
                (5)尽可能选择震动小的型号,当您使用自动装载机时,请提前确认后使用。
                (6)与JC-49/U系列相比,小晶体单元(HC-49U/S、HC-49USM、UM-1、SMD)的驱动极限水平较低,为100w及以下。因此,在使用之前,应该在实际安装电路中检查晶体电流。
                必须检查电路的负电阻。根据图6,负电阻的确认是可能的,负电阻的目标〗约为谐振电阻的5倍。
                (8)在C-MOS振荡电路中使用时,电路图中的Rd不可或缺(见图5)。如果该Rd达到要求,驱动水平将保持在规定值范围内,并且可以获得稳定的振荡频率。
                (10)Cg和Cd应在10~30pF范围内使用,如果Cg和Cd在10pF以下或20pF以上使用,振荡很容易受到电路性能』的影响,驱动水平可能会增加,或者负电阻可能会降低,从而无法保持稳定振荡。
                晶体振荡电路的布局应尽可能短。
                应该减少电路和接地图案之间的杂散电容。
                应避免晶体振荡电路图案▓与其他电路图案交叉。
                (14)如果使用的电路是IC类型,并且IC制造商不同,则应确认频率、驱动水平和负电阻。
                一个以上的振荡电路需※要额外的咨询。