遥遥领先的卢柏石英晶体谐振器灵敏度，为了█晶体振荡器的设计和工程成功，设计工程师必须首先了解晶体谐振器。晶体作为振╲荡电路中Q值最高的元件，对环行因此，正确指定晶体对于设计良好△的振荡器至关重要。这迷你引物将涵盖石英晶▼体中一些最容易被○误解的参数。

图1显示了石英晶体谐振器的等效电路。

图1：晶体符号及其单模单端口晶体谐振器等效电路
在图1中，C1、L1和R1构成︽了晶体谐振器的运动臂。C0是分流器电⊙容，主要由晶体的电极加上持∮有人分流电容C0是等〖效电路中唯一的物理值。这该参数实际上可以用一个简单的电容表来测量。动臂另一方面，组分（C1、L1和R1）是等价的，因此不是真实的。笔记该等效物仅用于基本响应，并且附加的运动臂可以为每个泛音和¤杂散添加。
图1的晶体等效电路的阻抗◇方程为，

方程（1.1）是复阻抗，但我们感兴趣的是它的虚部，或它的电抗。图2描述了这一点。

图2：石英晶体的电抗与频率的关系图

图2中有四个关键事实。首先，fs是运动电◣容C1抵消运动电感的频率L1.其次，fs被╳称为晶体的“串联谐振”，用

第三，反谐振点或并联☆谐振fa，是运动电感L1与C1和C0的并联组合谐振。第四，fa表示为

许多应用需要改变晶体的频率。一个例子是VCXO（压控晶体振荡器√），其中需要将工作频率调①谐到或者在期望〓的电压范围内改变频率。作为中的电容Ψ 性负载与晶体串联是变化的，晶♂体的频率是拉的。频率的这种变化负载电容CL表示为：

fL=带负载电容的频率

fs=串联谐振时的频率

C1=晶体的№运动电容

Co=晶体的分流电容▅
注意，方程（1.4）被写成从串联谐振频率到负载的Δ谐振频率。换句话说，分数♂频率从fs变为fL。

减小负载电容的值将增加晶体的频率。最后将达到fa的频率，但在晶体振荡器中应避免。这导致

（1.6）的结果是到极点的分数频率距离，或fa到fs。这被称为零到极间距，并设置晶体总可▽拉性的限制。

典型牵引曲线（1.4）的图形表示∞：

图3：方程（1.4）的曲线图。典型晶体频率拉动曲线与负载电容其中运动电容C1＝0.01pF，分流电容C0＝5pF与该晶体串联，频率比串联谐振频率高+200ppm。遥遥领先的卢柏石英晶体谐振器灵敏度.
方程（1.4）关于CL的一阶导数●导致

晶体制造商将晶体给定负载电容的方程式（1.7）称为“微调敏感性”。图4是“微调灵敏度”的图示。

图4：方程（1.7）的曲线图。典型的晶体微调灵敏度与负载电容，
其中运动电容C1＝0.01pF
分流电容C0＝5pF。
At a CL of 10pF, TS = -22.22 PPM/pF. At a CL = 20pF, TS = -8 PPM/pF.

微调灵敏度方程（1.7）为如何选ξ择负载提供了重要见解晶体的电容值。如果设计者的目标是制」造一个固定频率的振荡〓器在微处理器应用程序中，则他/她选择一个大的负载电容值，如18-22pF。如果设计者想要拉动晶体，那么他/她选择一个小的负载电容值如9pF至14pF。
所有晶体都有许多共振响应（见图5）。第一个主要响应称为“基础”。在它的◤右边，是下一︽个主要的回应，是第三序曲，然后是5.第th个泛音，等等。只有奇怪的泛音。泛音响应不是谐波基本面。根据定义，谐波是较低频率的精确倍数。对于例如，第三序曲通常是基频的2.8到3.2倍。所以晶体没有谐波，只有泛音。

原厂编码	型号	频率	频率稳＠定度	频率容差	负载电荷	工作温度
AS-24.000-18-SMD-TR	AS-SMD	24 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
AS-6.000-12-2020-EXT-SMD-TR	AS-SMD	6 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
RH100-25.000-10-F-3030-EXT-TR	RH100	25 MHz	±30ppm	±30ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
RH100-12.000-18-2020-EXT-TR	RH100	12 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
RH100-25.000-13-F-0715-EXT-TR-NS1	RH100	25 MHz	±15ppm	±7ppm	13pF	-40°C ~ 85°C
AS-16.000-18-SMD-TR	AS-SMD	16 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
AS-11.0592-18-SMD-TR	AS-SMD	11.0592 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
RH100-16.000-16-3030-EXT-TR	RH100	16 MHz	±30ppm	±30ppm	16pF	-40°C ~ 85°C
RH100-24.000-9-1015-EXT-TR	RH100	24 MHz	±15ppm	±10ppm	9pF	-40°C ~ 85°C
RH100-32.000-16-F-1015-EXT-TR	RH100	32 MHz	±15ppm	±10ppm	16pF	-40°C ~ 85°C
RH100-40.000-9-F-1010-EXT-TR	RH100	40 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-40°C ~ 85°C
RH100-48.000-8-F-1015-EXT-TR	RH100	48 MHz	±15ppm	±10ppm	8pF	-40°C ~ 85°C
RH100-12.000-20-2030-TR	RH100	12 MHz	±30ppm	±20ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
RH100-11.0592-18-3030-EXT-TR	RH100	11.0592 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
RH100-25.000-18-F-TR	RH100	25 MHz	±100ppm	±100ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
RH100-26.000-10-F-1010-EXT-TR	RH100	26 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
RH100-12.000-12-1010-X-TR-NS2	RH100	12 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
RH100-25.000-18-F-2030-EXT-TR	RH100	25 MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
RH100-48.000-10-F-1015-EXT-TR	RH100	48 MHz	±15ppm	±10ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
R38-32.768-12.5	R38	32.768 kHz	-	±20ppm	12.5pF	-20°C ~ 70°C
R26-32.768-12.5	R26	32.768 kHz	-	±20ppm	12.5pF	-40°C ~ 85°C
RH100-12.000-20-3030-EXT-TR	RH100	12 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
RH100-12.000-18-2020-TR	RH100	12 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
RH100-24.000-18-2030-EXT-TR	RH100	24 MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
RH100-12.000-12-1010-EXT-TR	RH100	12 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
RH100-12.000-9-1015-TR-NS1	RH100	12 MHz	±15ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
RH100-25.000-16-F-2020-EXT-TR	RH100	25 MHz	±20ppm	±20ppm	16pF	-40°C ~ 85°C
RH100-24.000-8-1010-EXT-TR	RH100	24 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-40°C ~ 85°C
RH100-25.000-18-F-1010-TR	RH100	25 MHz	±10ppm	±10ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
RH100-16.000-8-1010-TR	RH100	16 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
RH100-25.000-10-F-1010-EXT-TR	RH100	25 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-40°C ~ 85°C

检查图5，注意到晶□体在某些频率点上的行为就像电阻器如在其它频率区域的◇电感器¤或电容器。
连接到晶体的电路拓扑结构决定了在哪里操作晶体。在其他换句话说，电路迫使晶体进入基本、平行、泛音或串联模①式。请参阅以下定◣义。

“负载电容”：SMD晶振的频率将根据电容☆而变化与晶体串联的电抗。因此，设计者必须指定电容值需要将晶体校准到频率。典型值在9-32 pF之间；18-20pF是最常见的。负载电容有效地与晶体串联放置，从来没有穿过它。
“平行晶体”：在一个感应区域校准到所需频率的晶体，晶体的电抗曲线。由于它是一个区◣域，设计者必须准确地ω确定
他/她需要水晶进行操作的区域。区域中的精确点※由负载电容的值。

“串联晶体”：在上的一个电阻点校准到所需频率的晶体的电抗曲线。电阻点可以在基波上，也可▅以是泛音响应。无负载电容№需要指定，因为它是一个操作点而不是一个区域。
“基础晶体”：设计并校准到所需频率的石英晶振最低的主共振响应。基本晶体可以校准为“系列”或“平行”。
“Overtone Crystal”：在除基础。Overtone水晶可以校准为“串联”或“并联”。

“等效串联电╱阻（E.S.R）”：晶体在串联谐振时的电阻为简单地说是运动阻力R1。在平→行共振区域，其值增加到：

因此，E.S.R是晶体在平行谐振区域中的电阻或损耗。

注意，重要的是要理解，每个晶体都能够在基本或任何泛音模式，在串联和并联谐振。这只⌒　是一个匹配水晶的问题制造商的校准条件适用于周围电路.