希华晶体产品台产晶振应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等，扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。持续致力于技术研究开发及品质ζ落实扎根，营运据〖点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地，使希华得以提供服务予世界电子大厂。
导入先进微机电制程创新研发ζ 技术敏锐地掌ω 握石英晶振产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流，致力于开发小型○化、高频与光电领域等产ぷ品，与日本同业并驾齐驱。且深耕【微机电(MEMS)技术领域，加速导入TF SMD Crystal的量产，藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间。
希华晶振,有源晶振,SPO-7050B晶振,7050晶振,小型SMD有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频◤率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
有源晶振高频振荡□ 器使用IC与晶片设计匹配技术：SMD晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的◆技术难题。在设计过程中除◎了要考虑石英晶体谐振器具●有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等其¤它的特殊性，必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间卐、下降时间等相关参数。
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项目 |
符号 |
(CMOS)晶♀振规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
1~200MHZ |
请联系我们以便获取其它◥可用频率的相关信息▓ |
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电源电压 |
VCC |
1.8,3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -10℃to +70℃ |
请联系我们查看▼更多资料http://www.shubhamdrill.com |
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H: -40℃to +85℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±30× 10-6 |
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L: ±50× 10-6 |
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T: ±100× 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条≡件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负←载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
工业级石英晶体的负载№电容与阻抗:负载电容与阻抗设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为↓负载阻抗输出频率和输出电平不会⊙满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设∩置电抗，根据规范的负载阻♂抗。输出频率和输出电平，当测量输出频率或输出水平，晶体振荡器调整★的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入■阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。希华晶振,有源晶振,SPO-7050B晶振,7050晶振
机械处理:当发≡生外置撞击时，任何在遭到外部撞击时，或者产品不小心跌♂落时，强烈的外置撞击都将会导致希华贴片晶振损坏，或者频率不稳定▂现象.不执行任何强烈的冲击石英●晶体振荡器。如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用＠前检查其特点。
如何正＠确的使用高精度贴片晶振,电处理:将电＠ 源连接到指定的终端，确定正确的ξ 极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振，假如损坏那将不□会工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值，就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压〇很重要，一定要确保使用正确的》额定电压的振荡，但如果电压低于额定的电压值部分产品将№会不起振，或者起不到最佳精度。
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