伴随信息化社会的进程,现在石英晶振元器件已被广泛应用于各种电子设备以及家电产品之中,日趋重要. 爱普生拓优科梦（Epson — yocom）将进一步〒究极用精微加工发挥“石英”材料的→优越性能的“QMEMS”技术,创造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同时,融合爱普生集团的半导体与软件技术增添便于使用、能让顾客更体验到利用价值的“解决方案”.通过上述工作,我们将为社会的发展以及实现※更舒畅的未来而竭诚奉献.
爱普生晶振,温补晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振,温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度∏稳定性:频率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作温度范围:-30度至85度,电源电压:1.8V-3.3V之间可供选择,产品本身具有温度①电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等〓产品,符合RoHS/无铅.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解〖决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石【英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性，必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升↑时间、下降时间等相关参数。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
10~40MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
2.7V to 5.5V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
请联系我ω们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com |
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H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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频率稳〗定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振ω 荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
爱普生TCXO进口日产晶振型号列表:
爱普生TCXO进口日产晶振编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG5032SBN
24.576000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
10.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
15.360000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
26.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
25.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
40.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
50.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-0.9 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-1ppm
TG5032SBN
30.720000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
20.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
19.440000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
| X1G0045810085 | TG5032SBN | 24.576000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
| X1G0045810086 | TG5032SBN | 10.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
| X1G0045810088 | TG5032SBN | 15.360000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
| X1G0045810091 | TG5032CBN | 19.200000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
| X1G0045810092 | TG5032SBN | 26.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
| X1G0045810093 | TG5032SBN | 25.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
| X1G0045810094 | TG5032SBN | 40.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
| X1G0045810095 | TG5032SBN | 50.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-0.9 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-1ppm | |
| X1G0045810096 | TG5032SBN | 30.720000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
| X1G0045810097 | TG5032SBN | 20.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
| X1G0045810098 | TG5032SBN | 19.440000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm |
PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于5032贴片晶振器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。(2) 在设计时请参考相应的推荐装。(3) 在使用」焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用※无铅焊料。爱普生晶振,温补晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存无人机晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存□这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安⌒ 装,以免长期储藏。 正常温度和湿度： 温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷■带受到损坏。
耐焊性：将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流〗条件下,对石英晶振产品甚至5032贴片振荡器使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装→这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装▂条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊】接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
爱普生晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振