有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方㊣　式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

Transko晶振,压控晶体振荡器,TSMV2压控晶振.压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率1.25MHz到70MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.

Transko Electronics,Inc的既定政策是提供优质的产品和服务,始终如一地满足客户的需求.美国特兰斯科不断致力于持续改进,Transko晶振电子公司认识到这一点员工的发展以及他们的支持是实现低功耗晶振产品质量始终如一,最终达到客户满意度的最重要因素.

石英晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同◇曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计(a、球面的余弦磨量;b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率卐半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算).

Transko晶振	TSMV2晶振
输出类型	CMOS
输出负载	15pF
振荡模式	基本/第三泛音
电源电压	+3.3V
频率范围	1.25MHz~70.00MHz
频率稳定度	±20ppm~±50ppm
工作温度	-40℃~+85℃
保存温度	-55℃~+125℃
电压卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
启动时间	5 ms Max
相位抖动（12兆赫~20兆赫）	1个PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

负极电阻

除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡◥或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).

负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率◢与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明↑该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的有源2520贴片晶振的产品特ㄨ性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

进口晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致有源◆晶体无法产生振荡和/或非正常工作.

激励功率

在晶体单元上施加过多驱动力,会导致欧美晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).