小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地▃的改变,体积的变小也试产品带来了更高的↓稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安】装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要ζ　应用领域:无线通讯,高端智能♀手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

EPSON晶振,贴片晶振,TG3225CEN晶振,温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围〖: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封∩装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些◣比较高端的数码通讯产品☆领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

石英晶振多层、多金属的溅①射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶→振必须攻克的关键技术之一。石英晶♂振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方※法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最】小ppm之内。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	12-52MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关」信息
电源电压	VCC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料/
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率◤稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载■条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振□荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

使用环境（温度和湿①度）

请在规定的温度范围内使用石英晶振。这□　个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引◣起故障。请避免凝露的产生。

晶振/石英晶体谐振器

激励功率

在晶振上↓施加过多驱动力,会导致贴片晶体产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持¤适当的激励功率。

负极电阻

除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则『振荡或陶瓷振荡子振荡启动时间可能会增加。

负载电容

有源晶振振荡电路中负载电容的不同▓,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振▼荡。在使用之前,请指明该振动电路〗的负载电容

爱普生晶振,贴片晶振,TG3225CEN晶振