贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴ㄨ片晶振,特别适用于有▓小型化要求的电子数码产品市场领域,因〓产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲※击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

爱→普生晶振,TG2520SMN晶振,温补晶振

爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON—YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振ξ荡器（VCXO）、温补晶体振荡▃器（TCXO）。1996年2月在中国苏州ω　投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是】世界500强企业.

日本精工爱〗普生晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓◎优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】 爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普ω生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

爱普生晶〗振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为〗客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前□　面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技々术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和◎科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售】给我们的客户.

爱普生晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野下◥就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会.

爱普生晶振,TG2520SMN晶振,温补晶振

所有产品的共▼同点1：抗冲击:抗冲击是指笔记本电脑晶≡振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请∮勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振♀制作而成的,高空跌落摔打◣都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能◢受到损害,因此应避免◥阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。爱普生晶振,有源晶振,XG5032HAN晶振,X1M0004610001晶振

4：粘合剂:请勿使用可能导致5032系列晶振所用的∮封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到√腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量ㄨ,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内★或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀◥。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可▽能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料⊙选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高●电压泄漏的测量电路,并进行∑接地操作。

晶振产品使用每种产品时,请在有源六』脚晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性△能,以及材料有所不同,所以使用＠ 注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差■别●。

项目	符号	规格说明		条件
		VC-TCXO	TCXO
输出频率范围	f0	10 MHz to 55MHz		请与我们联系非标准频▽率
		19.2MHz , 26MHz , 38.4MHz		标准频率
电源电压	VCC	1.8V ±0.1V / 2.8V ±5% / 3.0V ±5% / 3.3V ±5%		电源电压范『围:1.7V to 3.63V
储存温度范围	T_stg	-40°C to +90°C		裸存
工作温度范≡围	T_use	G: -40°C to +85°C
工作温度范围	f_tol	±1.5 ×10-6Max.		在回流焊后,+25°C
频率温度特征	f0-TC	C: ±0.5 × 10-6Max. / G: -40°C to +85°C F: ±2.0 × 10-6Max. / G: -40°C to +85°C
频率负载变动特征	f0-Load	±0.1 × 10-6Max.		10kΩ // 10pF ±10%
频率电源〇电压特征	f0-VCC	±0.1 × 10-6Max.		VCC± 5%
频率老化	f_age	±0.5 × 10-6Max.		+25°C,第一年, 10 MHz 12 MHz ≦ f0≦ 20 MHz 24 MHz ≦ f0≦ 40 MHz
		±1.5 × 10-6Max.		+25°C,第一年, 10 MHz < f0< 12 MHz 20 MHz < f0< 24 MHz 40 MHz < f0≦ 55 MHz
功耗	ICC	1.5 mA Max.		10 MHz ≦ f0≦ 26 MHz
		1.8 mA Max.		26 MHz < f0≦ 40 MHz
		2.0 mA Max.		40 MHz < f0≦ 50 MHz
		2.1 mA Max.		50 MHz < f0≦ 55 MHz
输入电阻	Rin	500 kΩ Min.	-	VC- GND(DC)
频率控制▲范围	f_cont	±8.0 × 10-6to ±12.0 × 10-6	-	B: VC=0.9V ±0.6V (VCC=1.8V) C: VC=1.4V ±1.0V (VCC=2.8V) D: VC=1.5V ±1.0V (VCC=3.0V) E: VC=1.65V ±1.0V (VCC=3.3V)
频率变化极	-	正极	-
占空比	SYM	45% to 55%		GND 极 (DC 切割)
出力電圧	VPP	0.8V Min.		峰-峰值
振荡◥启动时间	t_str	1.0 ms Max.		在90 % VCC 时，所需时间为0 秒
出力▂負荷条件	Load_R	10kΩ		DC 切割电容 = 0.01µF
	Load_C	10pF