KVG晶振,T-75晶振,贴片晶振
KVG晶振集团成立于1946年。距离第二次世界大战后不久，KVG公司由物理∞学家库尔特·克林林创立。专注于频率控制产品，包括石英晶体，滤波器和振荡器，TCXO温补晶振，VCXO压控晶振，OCXO恒温晶振，无论是技←术，工艺，生产流程，性能都是当今世界最先进的。
1996年，KVG由美国多佛公司接管，作为石英晶●振和晶体振荡器的欧洲合作伙伴。1997年，石英陶瓷Ψ被收购在斯托克多夫，这是世界着名的OCXO恒温晶振和精密石英晶振。
KVG晶振量产的︽有源晶振应用范〒围非常广泛，如电信网络,ATM,SDH,SONET,移动系统,如GSM,CDMA,WCDMA,3G和UMTS以及电子计量.所有这些领域都需¤要高精度,可靠性和长使用寿命,以确保高系统可用性.
石英晶体谐振器的有源元件是一个机械振动板（“晶体元件”）,由单晶石英切割而成,具有↓与晶轴的精确定向.晶体谐振器在高真↘空下用铝,银或金电极电镀,并用冷焊或电阻焊接工艺气密密封到合№适的外壳中.元件的物Ψ 理尺寸及其与轴的方向将特别决定共振频率,其初始精卐度,电性能和温度系数.
KVG石英晶▃振技术有限公司推出全新的密封SMDOCXO,具有完整的Stratum3性能,甚至更好.例如,在最坏情况下,24小时内的总稳↑定性保证为±0.16ppm.
KVG的工程师使用非常小但高度精∞确的SC切割石英,开发出新的高稳定性OCXO,可显着扩展⌒潜在的应用范围.产品主要应用于通ζ 讯网络，例如：ATM, SDH, SONET;移动通」讯系统,例如：GSM, CDMA, WCDMA, 3G and UMTS和电子测量技术.这些设备都需要高准确性,可靠∑ 性和较长的使用寿命,以确保系统的高适用性.
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Sitime晶振 |
单位 |
T-75晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
5MHZ~52MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10℃~+70℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±0.5ppm，±1.0ppm，±1.5ppm，±2.0ppm，±2.5ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
18pF |
不同负载要求〓,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
KVG晶振,T-75晶振,贴片晶振
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料♀封装里的线路击穿.必须避免这种◣情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向╲是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和〖/或非正常工作.
有源晶振→的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗石英晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为卐负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿∩使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照☉成不良影响.
耐焊性：
将晶振加热包装材料至+150℃以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建议使用有源SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英耐高温晶振产品甚至晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
