格林雷晶振,温补晶体振荡器,T70有源晶振.有源晶振,是只晶体本身起振需要外部ぷ电压供应,起振后可直接驱□动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭①载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种∩电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
Greenray格林雷◤晶振集团致力于研发生产高精密,性能稳定的石英晶体振荡器,满足不同客户◣的特殊要求,并且具有低噪音,低相位等特点.Greenray格林雷有源晶振,压控◣振荡器,（PXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等在产品中使用具备优异的振动性,耐冲击等特性.Greenray格林雷还为广大用户提供具有良好可靠性,在产品中使用性能稳定强的⌒ 自校准振荡器,石英晶体振荡器.
石英晶振☆多层、多金属的溅●射镀膜技术:是目前研发及生产高▼精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振＠该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀♀膜的工艺方法(如各镀材◥的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的贴片晶振附着力增强,贴ぷ片晶振频率更加集中♀,能控制在最小ppm之内.
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格林雷晶振 |
T70晶振 |
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输出类型 |
HCMOS |
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输出负载 |
15pF |
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振荡模式 |
基本/第三泛音 |
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电源电压 |
+3.3V，+5.0V |
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频率范围 |
10.000MHz~50.000MHz |
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频率稳定≡度 |
±0.1ppm，±0.2ppm，±0.3ppm，±1.0ppm |
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工作温度 |
-10℃~+60℃ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
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保存温度 |
-55℃~+90℃ |
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电压卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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启动时间 |
5 ms Max |
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相位抖动（12兆赫~20兆赫） |
1个PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
负载电容
有源进口贴片晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通》过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该■振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）.
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源7050晶振设置一个规定的负载阻抗⊙值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和★输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波♂形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出●水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入〓阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗≡阻抗测量可以忽略.
机械处理
当有源压电晶振发生外置撞击时,任何石英∏晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶▲振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率 （请参阅“激励功率”章节内容）.
负极电阻
除非石英晶体振〒荡器回路中分配足够多的负极电》阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）.
