KVG晶振,T-53晶振,有源晶振
KVG晶振集团成立于1946年。距离第二次世界大战后不久，KVG公司由▲物理学家库尔特·克林林创立。专注于频率控制产品，包括石英晶体，滤波器和振荡器，TCXO温补晶振，VCXO压控晶振，OCXO恒温晶振，无论是技术，工艺，生产流程，性能都是当今世界♂最先进的。
1996年，KVG由美国多佛公司接管，作为石英晶振和晶体振荡器的欧洲合作伙伴。1997年，石英陶瓷被收购在斯托克多▓夫，这是世界着名的OCXO恒温晶振和精密石英晶振。
KVG晶振量产的有源晶振应用范围︾非常广泛，如电信网络〗,ATM,SDH,SONET,移动系统,如GSM,CDMA,WCDMA,3G和UMTS以及电子计量.所有这些领域都需要高精度,可靠性和长使用寿命,以确保高系统可用々性.
石英晶体谐振器的有源◥元件是一个机械振动板（“晶体元件”）,由单晶石英■切割而成,具有与晶轴的精确定向.晶体谐振器在高真空下用铝,银或金电极电镀,并用冷↑焊或电阻焊接工艺气密密封到合适的外壳中.元件的物理尺寸及其与轴的方向将特别←决定共振频率,其初始精度,电性能和温度系数.
KVG石英晶振技术有限公司推出全新的密封SMDOCXO,具有完整→的Stratum3性能,甚至更好.例如,在最坏情况下,24小时内的总稳定性保证为±0.16ppm.
KVG的工程师使用非常小但高度精确的SC切割石英,开发出新◆的高稳定性OCXO,可显着扩展潜在的应用▲范围.产品主要应用于通讯网络，例如：ATM, SDH, SONET; 移动通讯系统,例如： GSM, CDMA, WCDMA, 3G and UMTS和电子∑测量技术. 这些设备都需要高准确性, 可靠性和较长的使用寿命, 以确保系◥统的高适用性.
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Sitime晶振 |
单位 |
T-53晶振 |
石√英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
10MHZ~40MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10℃~+70℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±0.5ppm，±1.0ppm，±1.5ppm
±2.0ppm，±2.5ppm
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+25°C对于超出标『准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超●出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
18pF |
不同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
KVG晶振,T-53晶振,有源晶振
热影响
重复的温度巨大变化可々能会降低受损〓害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
振荡器的不正☉确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议⊙从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
有源晶振的负载电容与阻↘抗
负载电容与〒阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电◆平不会∩满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设◢置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪ζ器的负载阻抗晶体振荡器.当输♂入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输ζ 出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损』坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
耐焊性：
将晶振加热包装材料至+150℃以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150℃以上焊接石英晶☉振,建议使用有源SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英耐㊣ 高温晶振产品甚至晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些︼贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品∞在下列配置条∩件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
