Sitime晶振,压控晶振,SiT3372电压控制振荡器.压控晶振(VCXO)压控石英晶→体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60MHz到200MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.
SiTime拥有一个世界级的模拟工程团队,该团队提供●了业内最高的性能和最灵活的振荡器.自2006年我们的第一次产品介绍以来,我们改进了频率稳定性性︽能250次(以性能指标衡量),改进了抖动性能800次,改善了艾伦偏差3万次,并改善了功耗ξ 100次,同时保持了我们的产品的灵活性和可靠性.Sitime晶振最近的精英平台就是这样一个例子——基于这种架构的产品提供了◥最好的动态性能和更多的特性,而不是市场上≡的任何振荡器.
石英晶↓振真空退火技术:晶振高真空退火处↘理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力〓及轻微表面缺陷.在PLC控制程》序中输入已设计好的温度曲线,使真空№室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英№晶振通过合理的真空退火技术可提高耐高温晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
|
Sitime晶振 |
SiT3372晶振 |
|
输出类型 |
LVPECL |
|
输出负载 |
15pF |
|
振荡模式 |
基本/第三泛音 |
|
电源电压 |
+2.97V~+3.63V |
|
频率范围 |
10.000MHz~220.000MHz |
|
频率 |
±15ppm ±25ppm ±30ppm ±50ppm |
|
工作温度 |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
|
保存温度 |
-65℃~+150℃ |
|
电压卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
|
启动时间 |
5 ms Max |
|
相位抖动（12兆赫~20兆赫） |
1个PS最大 |
|
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
有源晶振的负载电容与╱阻抗
负载电容与阻抗3225有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规⌒定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是『设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当〓测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测∞量仪器,不〓同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
抗冲击
抗冲击是指晶振产品可♀能会在某些条件下受到损坏.例如从Ψ桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已∴受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片〒都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
耐焊性：
将晶振加热包装材料至+150℃以上会破坏产品特性或损害产¤品.如需在+150℃以上焊卐接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至晶振使用更高温◆度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片ω晶振之前,应检查焊接温度和时⌒间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶Ψ 振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
自动※安装时的冲击:
石英晶振↓自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未】对进口贴片晶振特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板◇等.
