SiTime晶振,SiT1566晶振,温补晶振,SiTime晶振公司,MEMS和模拟半导体公司,提供了业界最好的时间解决方案.我们的团队热衷于解决高性能电子◆产品中最困难的时间问题.我们已经向世界各地的客户运送了超过6.25亿台设备,占MEMS时间的90%,并且年增长率超过50%.SiTime是MegaChips公司(东京证券交易所:6875)的独立子公司⌒,主要以生产高精度石英晶振,可编程晶振等器件为主.
在过去的几十年里,石英晶体振荡㊣ 器、时钟发生器和石英晶体谐振器是电子器件中主要的参考计时元件.由于没有其他选择,OEMs和ODMs接受了石∞英定时装置固有的局限性.现在,有了强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路,SiTime晶振公司已经开发出突破石英器件限制的突破性解决方案,研发出高性能贴片晶振,石英晶体振荡卐器,可编程石英晶体振荡器等.
SiTime石英晶体振荡器可编程架☆构使最灵活的产品具有更多的特性和超快的领导时间.为电子产品的微型化提供了支持,它提供了行业中最小的包的定时解决方案——小到1.5 x0.8毫米,以及减※少组件计数的独特功能.我们的产品通过将多个组件的功能组合在同一个包中来减少董事会空间.半导体公司正「在集成我们的硅MEMS谐振器※在其SOCs / ASICs中完全消除外部时钟和简化系统设计.
SiTime石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器在100多个应用程序中被超过1000个客户☆使用.我们的最大容量设计是在网络、消费者、计算和存储部分.2011年,我们开始为电信、无线〖和工业应用提供产品.SiTime于2013年进入智能手机市场,推出了首个移动电话MEMS振荡器,目前在可穿戴设备和物联网ω 应用领域正在迅速发展.
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Sitime晶振 |
单位 |
SiT1566晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10℃~+70℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准),
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+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温度特○征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
18pF |
不同负载』要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
SiTime晶振,SiT1566晶振,温补晶振
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避∮免这种情况.
安装方向
振荡器的不正◤确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和▆/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常△工作.
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一ㄨ个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出』频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别◆是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器¤的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平々高,阻抗阻抗测量可以忽略.
抗冲击
抗冲击卐是指晶振产品可能会在某些条件下受到损◥坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过⊙冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英□晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
耐焊性：
将晶振加热包装材料至+150℃以上会々破坏产品特性或损害产品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英耐高温晶◥振产品甚至晶振←使用更高温度,会破№坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品〗在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
