Sitime晶振,有源晶体振荡器,SiT1533进口晶振.贴片式石英晶体振●荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本ζ,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
SiTime的MEMS技术起源于博世∞和斯坦福大学.在我们的创始人创立Sitime晶振之前,他们花了数年时间,在德国的博世和加州的帕洛阿尔托研发挽救生命的MEMS解决方案.自2005年成立①以来,SiTime公司※开发了几代先进的kHz和MHz MEMS谐振器,它们具有最高的性能、最小的漂移、最小的♀尺寸和最好的可靠性.我们还∏开发了一个全面的开发和仿真平台,确保了我们所有MEMS谐振器的第一个硅成功.SiTime的MEMS谐振器不仅在我们销售的每㊣ 一个产品中都有,其他半导体公司也集成了SiTime的MEMS谐振器在它们的SOCs中,提供独特的、大容量的解决方案,不需要外部时钟.
有源晶振高〓频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源低功耗晶振是ζ 高频振荡器研发及生产过程必须要解【决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡▓器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.
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Sitime晶振 |
SiT1533晶振 |
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输出类型 |
LVCMOS |
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输出负载 |
15pF |
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振荡模式 |
基本/第三泛音 |
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电源电压 |
+1.5V~+3.63V |
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频率范围 |
32.768KHZ |
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频率 |
20ppm |
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工作温度 |
-10℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
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保存温度 |
-65℃~+150℃ |
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电压卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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启动时间 |
5 ms Max |
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相位抖动（12兆赫~20兆赫） |
1个PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
电处理:
将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的※极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英32.768K晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保█使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振】,或者起不到最佳精度.
机械处理
当有源晶振发生○外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不〗稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已给振荡器确保在使¤用前检查其特点.
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠╳近振荡器的地方（在20 mm范围之间）.
未用输入终端的处理
未用针■脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND.
热影响
重复的温度巨大№变化可能会降低受损害的♂石英耐高温晶▽振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免→这种情况.
