SiTimeCrystal晶振,SiT1532晶振,石英晶体振荡器,SiTime晶振公司,MEMS和模拟半导体公司,提供了业界最好的时间解决方』案.我们的团队热衷于解决高性能电子产品中最困难的时间问题.我们已经向世界各地＠ 的客户运送了超过6.25亿台设备,占MEMS时间的90%,并且年增长率超过50%.SiTime是MegaChips公司(东京证券交∏易所:6875)的独立子公司, 主要以生产高精度石英晶体振荡器,可编程晶振等器件为主.
在过︻去的几十年里,石英晶体振荡器、时钟发生器和石英晶体谐振器是电子器〖件中主要的参考计时元件.由于没有其他选择,OEMs和ODMs接受了石英定时装置固有的局限△性.现在,有了强大♀的MEMS谐振器和高性能模拟电路,SiTime晶振公司已经开发◣出突破石英器件限制的突破性解决方案,研发出高性能贴片晶振,石英晶体振荡器,可编程石英晶体振荡器等.
SiTime石英晶体振荡器可编程架构使最灵【活的产品具有更多的特性和超快的领导时间.为电子◥产品的微型化提供了支持,它提供了行业中最小的包的定时解决方案——小到1.5 x0.8毫米,以及减少组件计数的独特功能.我们的产品通过◤将多个组件的功能组合在同一个包中来减少董事会空间.半导体◥公司正在集成我们的硅MEMS谐振器在其SOCs / ASICs中完全消除外部时钟和简化系统设计.
SiTime石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器在100多个应用程序中被超过1000个〗客户使用.我们的最大容量设计是在网络、消费者、计算和存储部分.2011年,我们开始为□ 电信、无线和工业应用提供产品.SiTime于2013年进入智◢能手机市场,推出了首个移动电话MEMS振荡器,目前在可穿戴设备和物联网应用领域正在迅速◎发展.
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Sitime晶振 |
单位 |
SiT1532晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10℃~+70℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准),
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+25°C对于超出标ξ准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超♂出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
18pF |
不同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
SiTimeCrystal晶振,SiT1532晶振,石英晶体振荡器
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受『损害的石英有源晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击█穿.必须避免这↘种情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是≡否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快「速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常←工作.
有源晶振的负载电〇容与阻抗
负载电容与阻抗3225有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除№了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电∞平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别╳是设置电抗,根据规ξ范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻♀抗,测量仪器的负载☆阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
抗冲击
抗冲击是※指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛↘压或在贴装过程中受到冲击.如果产∏品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部㊣晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
耐焊性：
将晶振加热包装材Ψ 料至+150℃以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英耐高温晶振产品甚至晶振使用更⊙高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和〒时间.同时,在安ζ 装条件更改的情况下,请再次【进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下＠ 进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
