SUNTSU晶振,有源晶体振荡器,SXO32C低电压晶振.贴片式石英晶⌒ 体振荡器,低电压启』动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板〓笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
在今天的经济中,科技∏公司需要灵活的供应商,以支持他们的工程团队及其独特的应用,以优质的产㊣ 品,有竞争力的价格和可靠的交付.Suntsu致力于成为该供应商.今天,SUNTSU晶振能够满足最基本的最严格的频率控制要求.我们的月产能在过╲去几年中大幅增长,截至2009年,我们每个月可以支持3千3百万个组件.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是ξ 目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英卐晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀※几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率▓设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.
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SUNTSU晶振 |
SXO32C晶振 |
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输出类型 |
CMOS |
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输出负载 |
15pF |
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振荡模式 |
基本/第三泛音 |
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电源电压 |
+1.8V~+3.3V |
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频率范围 |
1.00MHz~133.00MHz |
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频率Ψ 稳定度 |
±20ppm |
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工作温度 |
-40℃~+85℃ |
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保存温度 |
-55℃~+125℃ |
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电压卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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启动时间 |
5 ms Max |
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相位抖动（12兆赫~20兆赫） |
1个PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
晶体振荡器
如果过大的激励电力对超薄型晶振外加电压,有可能导▅致特性老化或损坏,因此请⊙在宣传册、规格书中规定的范围内使用.
让无源晶振振荡的电路宽裕度大致∞为负性阻抗值.本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍以上.
晶体振荡器
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静电对策请和○一般的C-MOSIC一样考虑.
有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接.使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高︽频特性较好的电容器(陶瓷片状电〖容器等)以短距离连接.关于个别机型请确认宣传册、规格书.
晶体滤波器
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得▆太近.
如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路.
如果过大的激励电力对3225有源晶振外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用.
保管
保管在高温多湿的场所可能会导致端子软焊性的老化.
请在没有直射阳光,不发生结露的场所保管.
