贴片石英振→荡器,7050金属面有源晶▂振,SPO-7050B晶振

希华晶体产品台产晶振应用范围包含行动电』话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等，扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能▓⌒。持续致力于技术研究开发及品质落实扎根，营运据」点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地，使希华得以提供服务予世界电子大厂。

导入先进微机电制程创新研发技㊣　术敏锐地掌握石英晶振产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流，致力于开发小型化、高频与光电领域等产△品，与日◥本同业并驾齐驱。且深耕微机电(MEMS)技术领域，加速导入TF SMD Crystal的量产，藉以扩大公司☉营收规模并且提升获利空间。

希华晶振,有源晶振,SPO-7050B晶振,7050晶振,小型SMD有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特↑点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输◆出三态输出功能,电源电压范∩围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领∞域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数☆码领域,符合RoHS/无铅.

有源晶振高频振荡器使卐用IC与晶片设计匹配技术：SMD晶振是高频振荡器研◆发及生产过程必须要解决的技术∑　难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石⌒英晶体振荡器的电极设计等其它的☆特殊性，必须考虑石英晶体▼振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

项目	符号	(CMOS)晶振〖规格说明	条件
输出频率范围	f0	1~200MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的ω　相关信息
电源电压	VCC	1.8,3.3V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +85℃

频率々稳定度	f_tol	J: ±30× 10-6
		L: ±50× 10-6
		T: ±100× 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频○率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
输入电压	VIL	20 % VCCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

SPO-7050B 7050 OSC

工业级石英晶体的负载电容与阻抗:负载电容与阻抗设置一个规定的负Ψ载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频◤率和输出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗▓▆，根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平，当测量输出频率或「输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗晶体振荡ㄨ器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。希华晶振,有源晶振,SPO-7050B晶振,7050晶振

机械处理:当发生外置撞击时，任何在ζ遭到外部撞击时，或者产品不小心跌落时，强烈的外置撞击都将会导致希华贴片晶振ω　损坏，或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点。

如何々正确的使用高精度贴片晶振,电处理:将电源连接到指定的◥终端，确定正确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个」终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振，假如损坏那将不会□工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值，就很可能会导致←石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要，一定要确保使用正确的额定电压的振荡，但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振，或者№起不到最佳精度。