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美国GED有源晶振,6G发射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz 参数表

ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Frequency Range			10.000MHz
Frequency Stability			±20ppm±25ppm±50ppm±100ppm
Operating Temperature Range			0°Cto+70°Cor–40°Cto 85°C
Storage Temperature Range			-55 ~ +125°C
Input Voltage			+5.0VDC±10%
Input Current			1.000MHz to 32.000MHz 33.000MHz to 49.000MHz 50.000MHz to 69.000MHz 70.000MHz to 133.000MHz		20mA Max 45mA Max 50mA Max 100mA Max
Symmetry			50±10% Standard,50±5% Available
Rise / Fall Time		TTL	5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
		CMOS	5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
Output Level		TTL	VOL: 0.4V MaxVOH: +2.4V Min
		CMOS	VOL: 0.5V MaxVOH: VDD– 0.5V Min
Output Load			CMOS, compatible, 1~10TTL Gates
Pin 1 Option			No connectionEnable/Disable (Tristate)

美国GED有源晶振,6G发射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz 尺寸图

美国GED有源晶振,6G发射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz

SPXO晶振产品特性:

HCMOS/TTL输出

5.0V电源电压

陶瓷SMD封装

可用于磁带和卷轴