5032mm体积的石英¤晶体振荡器有源晶振,改产品可▆驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型『,编带包装方式,可对应自动高ㄨ速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到▓集成电路,程控交换系统,无线№发射基站.

爱普生晶振,SG-8018CB晶振,低电源电压晶振

爱普生株式会【社EPSON晶振,爱普生拓优科梦→,(EPSON—YOCOM)1942年成立时〗是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振,晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡¤器, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补◥晶体振荡器（TCXO）。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是々世界500强企业.

日本精工爱普生晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式∩会社与爱普生晶振(中国)有限公⊙司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户◤创造新的价值,并决定使用这个模★型来驱动前面提到的四个关键领域的ㄨ创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这◣些作为基地的规划和设计提供独特价值的】产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,贴片晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器,压控石英水晶振荡子,等出售给我们的客户.

爱普〗生晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信●息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的◥公司为我们的客户和社会.

爱普生晶振,SG-8018CB晶振,低电源电压晶振

全套日本爱普生晶振生产设备,全自动封胶点焊,网络系统自动分频检测设备,SMD全套现♂代化生产线.贴片晶振,全套材料采用日本进口,日本电波NDK晶振原厂供应晶片材料,采用KYOCER CRYSTAL京瓷晶振外壳基座.主要生产:石英晶振,贴片晶振,有源晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,32.768K钟表晶振,陶瓷雾化片,晶振,谐振器,等产品.并且代理日本进口晶振,爱普生晶振,KDS晶振,精工晶振,京瓷晶振,NDK晶振,村田晶振等多家日本一线品】牌.与我国台湾,TXC晶振,鸿星晶振,希华晶振,加高晶振等品牌成为战略合作伙伴.

在2018年与多个欧美晶振品牌签订代销代理同盟合作关系:ECS晶振,Abracon晶振,CTS晶振,JAUCH晶振,的多个有源晶振进口品牌合作关系,主要以车规晶振,工业级晶振,差分晶振,差分晶体振荡器,进口差分晶振,军工晶体为主打.优质的品质:高频,高稳,高温,高质量,小尺寸,低相噪,低抖动,低能耗,低损耗,低功率,底电源电压等优势的进口差分晶振.是国内最早采用SMD全自动化生产企业,并且2005年在赣州地区信丰工业园自购土地兴建现代化生产厂房,实至名归晶振厂家高新企业,产品60%用于出口.主要以数码产品,智能穿戴,家居智能化,汽车电子,医疗设备,手机导航等产品为主要客户源.康华尔电子-以品质求生存,完善的工艺,先进的设备,服务市场,服务客户.

项目		符号	规格说明				条件
电源电压		VCC	1.80 V Typ.		2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
			1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63 V
输出频率范围		f0	0.67 MHz to 170 MHz
储存温度		T_stg	-40°C to +125°C				裸存
工作温度		T_use	H: -40°C to +105°C
频率稳定度 *1		f_tol	J: ±50 × 10-6				T_use= -40°C to +105°C
功耗		ICC	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use=+105°C					无负载』条件 f0= 20 MHz
			2.7mA Typ.		2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use=+25°C
			5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use=+105°C					无负载条件 f0= 170 MHz
			4.7mA Typ.		5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use=+25°C
输出禁用电流		I_dis	3.2mA Max.	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	OE=GND , f0= 170 MHz
待机电流		I_std	0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use=+105°C					ST = GND
			0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use= +25°C
占空比		SYM	45% to 55%				50% VCC级
输出电压 (DC特性)		VOH	90% VCCMin.				[mA]
							tr / tf				VCC		A	B	C	D
							默认 (f0>40MHz) 快速				IOH		-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
											IOL		2.5	3.5	4.0	5.0
							默认 (f0≦40MHz)				IOH		-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
		VOL	10% VCCMax.								IOL		1.5	2.0	2.5	3.0
							缓慢				IOH		-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
											IOL		1.0	1.5	2.0	2.5
							A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
输出负载条件 (CMOS)		L_CMOS	15pF Max.
输入电压		VIH	70% VCCMin.				OE orST
		VIL	30% VCCMax.
上升/下降时间	默认	tr / tf	3.0 ns Max.				f0> 40MHz					20% VCCto 80% VCC级 L_CMOS=15pF
			6.0 ns Max.				f0≦ 40MHz
	快速		3.0 ns Max.				f0=0.67to170MHz
	缓慢		10.0 ns Max.				f0=0.67to20MHz
禁用时间		t_stp	1 μs Max.				从OE和ST引脚越过30%的VCC时测量
启用时间		t_sta	1 μs Max.				从OE引脚越过70%的VCC时测量
恢复时间		t_res	3 ms Max.				从ST引脚跨越70%VCC时测量
振荡器启动时间		t_str	3 ms Max.				从VCC达到其额定的最小值，1.62 V随时间测量
频率老化		f_aging	这包含在频率容差规范				+25°C, 10年