爱普生晶振,SG7050CAN晶体振荡器,有源贴◎片晶振.贴片式石英晶体※振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射∞基站等领域.符合RoHS/无铅.
石英晶振曲率半〓径加工技术:贴片式金属面晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法.如:1,是指球面加工曲率半径的工艺设计(a,球面的余弦磨量;b,球面的均匀磨量;c,球面加工曲率半径的配合)2,在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算).
爱普生晶振集团广泛用于通々信行业的需求,包括为电信,无线和SATCOM以及WiMAX等新兴技术而设计的产品,包括用于电信的Stratum III和IIIE.此外,我们还为全球「导航卫星系统(如GPS)提供高精度有源晶振,石英晶体振荡卐器,温补晶振等.所生产的有源贴片晶振㊣ ,普通晶体振荡器(SPXO),低噪音压控晶体振荡器(VCXO),低振动温补晶体振荡器(TCXO),高稳定恒温晶体振荡器(OCXO)广泛〗用于一些检测仪器,高端设备仪器,高精密设备等产品中.
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
1~75MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相︾关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.6-3.6V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -20℃to +70℃ |
请联系我们查看更多资料/ |
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H: -40℃to +85℃ |
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J: -40℃to +105℃ |
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频率」稳定度 |
f_tol |
J: ±25× 10-6 |
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L: ±50 × 10-6 |
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±100 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工◤作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
静电
过高的静电可能会损坏SMD晶振,请注意抗静←电条件.请为容器和№封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进◣行接地操作.
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动↓力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率.
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡¤或振荡启动时间可能会增加.
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调√整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前♀,请指明该振动电路的负载电容.
晶体振荡器和实时时钟模块
所有晶■体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.
噪音
在电源或输入端上施加执行◥级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
输入终端■的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非∮正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输㊣入终端连接到VCC或GND.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的有源石英振子单元】的产品特性,并导致№塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
有源晶体振荡器的不△正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通〗电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
