QVS晶振,QV3T晶振,QV3T-7XEF12.5-32.768KHZ晶振
贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的↓表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标⌒ 准,满足无铅焊接的回流温度曲线要▓求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐▽冲击性能.
QVS技术公司是一家由女性企业家创办，已成功供应高品质频率控制产品╲超过15年。作为加利福尼亚州≡卡尔斯巴德的女性小企业总部，在全球范围内提供频〓率装置的供应商，产品包括石英晶体、时钟晶体振荡器、温度补偿晶振（TCXO）、压控晶体振荡器（VCXO）、压控◥温补振荡器（TCVCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），陶瓷谐振器和MEMS频率控制装▂置。
QVS Tech还提供↑拥有多种配置的温度补偿压控石英振荡（TCVCXO）产品，包括高稳定性、可扩展温度范∩围、低电源电压选项和低电流消耗。典型应用包括平板电脑、GPS、移动通＠ 信设备、便携式无线电设备、蜂窝电话和无绳☆电话。
QVS提供各种标准和定制频率的石英晶体，时钟晶★体振荡器，VCXO压控晶振，TCXO温补晶振和OCXO恒温晶振。这使我们能够为包括电信，测试和仪器，医疗︻和航空航天在内的广泛应用和市场提∑供频率控制解决方案。我们的工程师随时准备回答您的问题并为您的应用提供设计帮助。
| Frequency Range | 32.768 KHz |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | 90 k? Max |
| Shunt Capacitance (Co) | 2.0pF Typ. |
| Motional Capacitance (CI) | 6.5 fF Typ. |
| Frequency Tolerance @ 25°C ±5ºC | ±20 ppm Standard |
| Frequency Stability over Temperature | Parabolic -0.045 ppm /°C2Typ. Turnover point +25º ±5ºC See Graph Below |
| Crystal Cut | X-Cut |
| Load Capacitance | 12.5 pF Standard (see table below) |
| Drive Level | 0.1 µW typ, 0.5 µW max |
| Aging | ±3 ppm Max. / Year Standard |
| Temperature | |
| Operating | -40°C to +85°C Standard |
| Storage | -55°C to +125°C Standard |
QVS晶振,QV3T晶振,QV3T-7XEF12.5-32.768KHZ晶振
热影响
重复√的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种●情况.
安装方向
石英晶∮体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是々否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正☉常工作.
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规◥定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形↘.特别是设置电抗①▓,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或》输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的◢测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻︾抗测量可以忽略.
抗冲击
抗冲击是ζ指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到♂冲击.如果产々品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是贴片晶振制作而成』的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
耐焊性：
将晶振加热包装材料至+150℃以上会破坏产品〓特性或损害产品.如需在+150℃以上焊接石英晶□振,建议使用有源贴片晶振产品.在下列回←流条件下,对石英耐高温「晶振产品甚至晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使㊣ 用下列配置情况的回流条件.安装№这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再△次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的〓相关信息.
