百利通亚陶晶振,NX501晶振,有源晶体振荡器.5032mm体积的石〗英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产¤品,电源电压的低电耗型,编带包装方式⌒ ,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无☆铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成■电路,程控交换系统,无线发射基站.
Diodes 公司总部及美洲销ㄨ售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔≡皮塔斯 (Milpitas).设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北；台湾♂桃园市、台湾竹北市、英国曼彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus).Diodes晶振的晶→圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上海亦设有一座生产设施.Diodes 在中国上海、济南、成都、扬州,以及香港、纽豪斯及台北设★有组装与测试设施.另外在多个据点设有】工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以及德国慕尼黑,并于世界各地设有支々持办公室.
贴片〓晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的♀曲率半径、滚【筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充□物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从∮而电路不能振动或振动了不稳定.
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百利通亚陶晶振 |
NX501晶振 |
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输出类型 |
CMOS |
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输出负载 |
15pF |
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振荡模式 |
基本/第三泛音 |
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电源电压 |
+2.5V，+3.3V |
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频率范围 |
125MHz |
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频率稳定度 |
±50ppm |
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工作温度 |
-40℃~+85℃ |
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保存温度 |
-55℃~+125℃ |
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电压卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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启动时间 |
5 ms Max |
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相位抖动（12兆赫~20兆赫） |
1个PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频』率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗→晶体振荡器.当输入▓阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
机械处理
当有源低损耗◎晶振▽发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶㊣振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前◥检查其特点.
电处理:
将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的↑指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定◥电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起☆振,或者起不到最佳精度.
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计◆频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用︻之前,请指↓明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）.
静电
过高的静电可能会损坏智能穿戴晶振,请注意抗静电条件.请为√容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并●进行接地操作.
