NDK晶振,压控晶体振荡器,NV2520SA晶振.贴∮片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网㊣,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发↑射基站等领域.符合RoHS/无铅.
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位〒(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质ξ 不同,其电特⊙性也各异,石英晶振目前主要使卐用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.
NDK晶振集团所处于的事业环境是智能手机市场的扩大已在延缓,但伴随着LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等带来◆的搭载部件的构成的变化,使得TCXO(温度补〒偿晶体振荡器)和SAW(弹性表面波)器件的需要在急速增加.由此,本集团将︼方针转换至面向量产市场的产品的再强化@ 上,把均衡缩减战略切换成成长战略.并且展开在产业设备、车载、传感器领域,利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划.通过赢得客户的高评价和高信赖√来确保持续的成长和安定的〓收益,来努力达成销售额500亿日元企业的复活的目标
NDK晶振 |
NV2520SA晶振 |
输出类型 |
CMOS |
输出负载 |
15pF |
振荡模式 |
基本/第三泛音 |
电源电压 |
+3.3V |
频率范围 |
1.250MHz~80.000MHz |
频率稳定度 |
±50ppm |
工作温度 |
-40℃~+85℃ |
保存温度 |
-55℃~+125℃ |
电压卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
启动时间 |
5 ms Max |
相位抖动(12兆赫~20兆赫) |
1个PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
机械处理
当有源2520晶振发生外置≡撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲∞击已经给振荡器确保在使用前▲检查其特点.
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个▃值除了规定的一个设置为负载阻抗输出Ψ频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如:失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测々量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出ξ 水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
耐焊性:
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振◇产品甚至高精度石英晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列◣配置情况的回流条件.安装这些︼贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配〓置条件下ζ进行焊接,请联∩系我们以获取耐热的相关信息.
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用石英2520温补晶振.这个温度涉及本体的和季节变化的温度.在∞高湿环境下,会由于凝露引起故障▅.请避免凝露的产生.
如何正确的使用有源晶振
电处理:
将电源连接到有源高质量石英晶振指定的╱终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转∞或者连接』到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压↙高于晶振的规定→电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品∏将会不起振,或者起不」到最佳精度.