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                全球首家上百万进口晶∮振代理商

                深圳市康华尔电子有限公司

                国际进口晶振品牌首选康华尔

                首页 欧美晶振

                微晶晶振,耐撞击晶振,MS3V-T1R晶体

                微晶晶振,耐撞击晶振,MS3V-T1R晶体微晶晶振,耐撞击晶振,MS3V-T1R晶体

                产品简介

                智能手机晶振,产品具有高精度超小型的引脚插件石英晶体谐振器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,插件晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

                产品详情

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                微晶晶振,耐撞击晶振,MS3V-T1R晶体.普通插件石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.

                微晶,1978年成立于瑞士格伦兴,为Swatch Group的供货商,提供手表音叉式晶体的产品.而今,微晶已经发展成为一家在微型音叉式压电石英晶体(32kHz ~ 250MHz),实时时钟模块,晶振和OCXO等多个领域的领导供货商,为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全方位支持,服务范围涵盖手机,计算机,汽车电子,手表,工业控制,植入式医疗及其他高可靠性产品.

                石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不★到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使进口晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色〓光的方法去检测晶片表面的状态.

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                微晶晶振

                单位

                MS3V-T1R晶振

                石英晶振基本条件

                标准频率

                f_nom

                32.768KHZ

                标准频率

                储存温度

                T_stg

                -55°C~+85°C

                裸存

                工作温度

                T_use

                -40℃~+85℃

                标准温度

                激励功率

                DL

                1.0μW Max.

                推荐:10μW

                频率公差

                f_— l

                ±20ppm

                ±100ppm

                +25°C对于超出标准的规格说明,
                请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/

                频率温度特征

                f_tem

                30 × 10-6,±50 × 10-6

                超出标准的规格请联系我们.

                负载电容

                CL

                6.0pF/7.0pF/9.0pF/12.5pF

                不同负载要求,请联系我们.

                串联电阻(ESR)

                R1

                如下表所示

                -40°C — +85°C,DL = 100μW

                频率老化

                f_age

                ±3× 10-6/year Max.

                +25°C,第一年

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                MS3V-T1R 1414

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                负载电容

                振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

                晶体振荡器和实时时钟模块

                所有石英晶体压控控制振荡器和实时时ζ钟模块都以IC形式提供.

                噪音

                在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

                电源线路

                电源的线路阻抗应尽可能ω 低.

                输出负载

                建议将输出负载安装在尽可能靠近低损耗晶振的地方(在20mm范围之间).

                未用输入终端的处理

                未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

                激励功率

                在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英低功耗晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

                负极电阻

                除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则32.768K晶振或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)

                MS3V-T1R

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