微晶晶振,耐撞击晶振,MS3V-T1R晶体.普通插件石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.
微晶,1978年成立于瑞士格伦兴,为Swatch Group的供货商,提供手表音叉式晶体的产品.而今,微晶已经发展成为一家在微型音叉式压电石英晶体(32kHz ~ 250MHz),实时时钟模块,晶振和OCXO等多个领域的领导供货商,为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全方位支持,服务范围涵盖手机,计算机,汽车电子,手表,工业控制,植入式医疗及其他高可靠性产品.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不★到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使进口晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色〓光的方法去检测晶片表面的状态.
微晶晶振 |
单位 |
MS3V-T1R晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+85°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:10μW |
频率公差 |
f_— l |
±20ppm ±100ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
|
频率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6,±50 × 10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
6.0pF/7.0pF/9.0pF/12.5pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
晶体振荡器和实时时钟模块
所有石英晶体压控控制振荡器和实时时ζ钟模块都以IC形式提供.
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能ω 低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近低损耗晶振的地方(在20mm范围之间).
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英低功耗晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则32.768K晶振或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)