微晶晶振,进口石英晶振,MS1V-T1K插件晶体.引脚焊接型石英晶体元件.工厂仓库长时间大量ζ 库存常用频点,.高精度的频率和晶振本身更低的等效串』联电阻.常用负载电容,49/S石英晶振,因插件型镜头成本更低和更高的批量生产能〓力.主要︽应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.
贴片晶振晶片边缘处理∏技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石㊣ 英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半◤径、滚筒的长短、使用》的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效〓应不能去除,而石英晶振晶片№的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
微【晶在瑞士,泰国建有生产中心,及遍布世界各地的◇代表处.我们所有的无源晶振产品都得↑到ISO9001和ISO14001的认证,并达到RoHS,REACh等规范的要求.全球约550个员工的责任感和奉献精卐神是我们成功的基石.我们对管理,环境,社会责任都有Ψ 明确的行为准则比如对有争议的◥原材料的问题上,这些是我们在未来保持竞争优势的主要原因.
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微晶晶振 |
单位 |
MS1V-T1K晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-55°C~+85°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±20ppm ±100ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出标准的规格请联系我①们. |
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负载电容 |
CL |
6.0pF/7.0pF/9.0pF/12.5pF |
不ㄨ同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所♀示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英低功耗晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维○持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则32.768K晶振或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振〗荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前¤,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
晶体振荡器和实时时钟模块
所有石英晶体压控控制振荡器和实时时钟模块都■以IC形式提供.
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功ω能失常或击穿的闭门或杂散现象.
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近耐高温晶振的地方(在20mm范围之间).
未用∮输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道→都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
