MtronPTI晶振,M618X晶振,压控温补晶振
MtronPTI于1965年成立于︾雷达，为高可靠性】/高性能应用设计和制造定制RF和微波解决方案。2004年成立，由M-tron Industries，Inc.收购Piezo Technology，Inc. MtronPTI是LGL Group，Inc.的全资子々公司。
MtronPTI提供广泛的精确频率控制和数据定时解决方案，包括：射频，微波和毫米波滤波器-晶体，陶瓷晶振，陶瓷◤谐振器，集总元件，开关，数字可♀调谐和低噪声/恶劣环境振荡器- 贴片晶振，TCXO温补晶振，VCXO压控晶振，烤箱和IEEE-1588锁定。2014年，MtronPTI增加了毫米波金属插入技术波导滤波器和□最先进的固态功率放大器。
MtronPTI集总元件（LC）滤波器允许真正的表面安装防洗组件.焊料密封或激光焊接的周边可防止在电路板前期和后期清洗期①间或之后的☆性能变化,从而实现高电路板级初始产量∮和可靠的性能.MtronPTI晶振拥有超过150,000平方英尺的三个制造和设计设施:Yankton,SD; 奥兰多,FL; 和印度诺伊达.MtronPTI的香港子公№司M-tron Industries Limited担任采购代理,区域仓库,质量控制和销售代表.有源晶振高↓频振荡器使用IC与晶片设计▲匹配技术:有源石英晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解』决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具⌒ 有的电性外,还有石英▓晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升▽时间、下降时间等相关参数.
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石≡英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型◥的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其▂电特性也各异,石英无源晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.
|
型号 |
M618X(TCVCXO) |
|
|
输出频率范围 |
8.000~52.000MHZ |
|
|
标准频率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
|
|
电源电压范围 |
+1.8~+3.3V |
|
|
电源电压(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
|
消耗电流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26＜f≦52MHz) |
|
|
待机时电流∩ |
- |
|
|
输出电压 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
|
输出负载 |
10kΩ//10pF |
|
|
频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6max.(After 2 reflows) |
|
温度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6max./-55~+125℃ |
|
|
电源电压特性 |
±0.2×10-6max.(VCC±5%) |
|
|
负载▆变化特性 |
±0.2×10-6max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
|
长期变化 |
±1.0×10-6max./year |
|
|
频率控制 |
控制灵敏度 |
- |
|
频率控制极性 |
- |
|
|
启动时间 |
2.0ms max. |
|
MtronPTI晶振,M618X晶振,压控温补晶振
粘合剂
请勿使用可◆能导致32.768K晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀︻的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振.即使少√量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐●蚀.同时,请勿使用︾任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏石英晶体谐振器,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时ξ候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致32.768K钟表晶振非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会△增加；因此,请将未◥用输入终端连接到VCC或GND.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的无源晶振的产品特性,并导↘致塑料封装里的线路击穿.必须避免←这种情况.
安装方向
进口晶振的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装㊣时,请检查安装方向是否》正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否○则会导致贴片晶振无法产生振◢荡和/或↓非正常工作.
