京瓷晶振,有源晶振,KT7050晶振,7050mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电ζ 子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等◇优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.002mm内，由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加〓强，从而造成如若石英差分晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工▅作，从而导致产品在客户端不能正常使用，晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题，公司在此方面通过理论与实践相结合，模拟出一整套此石英晶振晶卐片设计的计算机程序，该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范↙围 |
f0 |
10-40MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
2.7-5.5 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃to +85℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10℃to +70℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动♀时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
1：抗冲击
抗冲ω击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从↓桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其∞内部晶片都是石英晶振制作而成◆的,高空跌落摔打都会给京瓷温补晶振卐照成不良影响。
2：辐射
将贴片晶〖振暴露于辐射环境会导致产品性能受↑到损害,进口温补晶振因此应避免阳光长时间的照∑ 射。
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所☆用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的★金属“盖”,从而破坏密〖封质量,降低性能。）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。进口7050晶振即使少量的∞卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装①所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用ぷ任何会释放出卤素气体的树脂。
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注Ψ意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电【材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进【行接地操作。
京瓷晶振,有源晶振,KT7050晶振
瑞康晶振,温补晶振,CFPT9000温补晶振