京瓷晶振,有源晶振,KT1612晶振,超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别︼要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂∮性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境▃特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
石英晶振的╱切割设计：用不同角度对温补晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同特性的石英晶片，通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英↙晶片，因其弹性性质，压电性质，温度性质不同，其电特性也各异，石英晶振目前主要使「用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
16.368-52MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.68-3.45 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃to +85℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-30℃to +85℃ |
请联系我们◣查看更多资料http://www.yijindz.com |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工↑作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用京瓷晶振时应注意以下事项:
所∞有产品的共同点
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在温补晶振某些条件下受到损卐坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲◆击请勿使用.因为⌒无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此温补振荡器应避免√阳光长时间的照射.
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能㊣ 导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用★的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀∞一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质①量,降低性能.）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用石英晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯☉气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,1612晶振请勿使Ψ用任何会释放出卤素气体的树脂.
6：静电
过高的静电可能∴会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处▓理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操∩作。
京瓷晶振,有源晶振,KT1612晶振
