5032mm体积的晶振,可以说是目前小型数码◥产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最↘适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点》,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应←用,以及高温回流焊接（产品无铅对应▅）,为无铅产品.

京瓷晶振,有源晶振,KC5032E-C3晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要╱外部电压供应,起振后▽可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消♂费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应ζ　自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要

恒温晶振的真』空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振︽组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	14.31818-166MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关㊣　信息
电源电压	VCC	2.97-3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	-10℃to +70℃	请联系我们查看更多◣资料http://www.yijindz.com
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条█件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振〓荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

石英晶振自动安装和真空化引发的冲≡击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,5032晶卐体振荡器并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变◇时,请重新检查安装↑条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路卐板等。

每个封装类型的注意事项

(1)陶瓷包装晶振与SON产品

在焊接陶Ψ 瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂（开裂）。6脚有源振荡器尤其在焊接这些产品之后进行电∞路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体①并采用应力更小的切割方法。

(2)陶瓷包㊣装石英晶振

在一个不同扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷》封装石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分○发生断裂←,请事先检查焊接特性。

（3）柱面式产品

产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚〖会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂（开裂）,也可能导致气密性和产品特性受到破坏。5032晶体振荡器当有源晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需ω修复时,请勿拉伸,托住弯♂曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损↘坏。所以在此处请不♂要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。

京瓷晶振,有源晶振,KC5032E-C3晶振