鸿星晶振,有源晶振,HXO-S晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱∮动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭∮载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前台产晶振晶片研⊙磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶╳片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
1-54MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.8-5.0V |
请联系我们以︻了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -20℃to +70℃ |
请联系我们∑查看更多资料/ |
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H: -40℃to +85℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负▲载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有↓石英晶体振荡器△和实时时钟模块都以IC形式提供。
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,射频应用晶振可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应☉尽可能低。
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）。
未用输◥入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。贴片︼振荡器同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增∩加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振◢产品特性,并导致塑料封装里的线路击★穿。必须避免这种情况。
安装方向
振荡器的不正确安装会导致ζ故障以及崩溃,小型普通有源晶振因此→安装时,请检查安装方ζ 向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极Ψ快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。
鸿星晶振,有源晶振,HXO-S晶振
