百利通亚陶◥晶振,高精度石英晶振,HX251振荡器.数码电子晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英★晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信▆领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通△信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片低功〓耗晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了№去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种◆类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不∴稳定.
Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北；台湾桃园市、台湾竹卐北市、英国曼彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus).Diodes百利∮通亚陶晶振的晶圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上海※亦设有一座生产设施.Diodes 在中国上海、济南、成都、扬州,以及香港、纽豪斯及台北设有◥组装与测试设施.另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以及德国慕尼黑,并于世⊙界各地设有支持办公室.
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百利通亚陶晶振 |
HX251晶振 |
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输出类型 |
CMOS |
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输出负载 |
15pF |
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振荡模式 |
基本/第三泛音 |
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电源电压 |
+1.8V，+2.5V，+3.3V |
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频率范围 |
1.750MHz~161.000MHz |
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频率稳定度 |
±50ppm |
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工作温度 |
-40℃~+125℃ |
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保存温度 |
-55℃~+125℃ |
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电压卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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启动时间 |
5 ms Max |
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相位抖动（12兆赫~20兆赫） |
1个PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
机械处理
当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌〖落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.
使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围】内使用台湾贴片2520晶振.这个温度涉及本体的和季节变化的温度.在高湿环境下,会由于凝露引起故障.请避免凝露的产生.
晶振/石英晶○体谐振器
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害↓或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率 （请参阅“激励功率”章节内容）.
负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）.
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请◤指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）.
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容⌒ 与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
电处理:
将电源连♂接到智能家居晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指→定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接▂电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电＠压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.
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