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                全球首家上百万进口晶振代理商

                深圳市康华◇尔电子有限公司

                国际进口晶振品牌首选康华尔

                首页 百利通亚陶▃晶振

                百利ㄨ通亚陶晶振,贴片晶振,FX晶振,FX0800015晶振

                百利⊙通亚陶晶振Ψ ,贴片晶振,FX晶振,FX0800015晶振百利通亚★陶晶振,贴片晶振,FX晶振,FX0800015晶振

                产品简介

                亚陶晶振6035mm晶振产品⊙小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲∞击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

                产品详情

                台湾百利通亚陶晶∩振的技术为高带宽、高速串行连♀接协议所引起的挑战提供了系统设计解决方案.Pericom百利通亚陶晶◣振公司于1990年由许志明和许志恒Ψ(Alex Hui 和 John Hui)共同在美国╲加州圣何西市创立,公司由此蓬勃发展成为一家在全球拥有超过900名员工的公司,并在北美(我们的总部所在地)和亚洲建立了设计中〖心;亚陶晶振的技术和销售支持办事处遍布全球.

                百利通亚陶晶振,贴片晶振,FX晶振,FX0800015晶振,小体积贴¤片晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

                超小型石英贴片晶振晶片的设计:石英晶ω片的长宽尺寸已要求在±0.002mm内,由于贴片晶振晶片很小导致晶□ 体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切ω 变振动)与主振动(厚度切变振◎动)的耦合加强,从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用,晶振的研发及生产】超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题,公司在此方面通」过理论与实践相结合,模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序,该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用∑ 并取得很好的效果。

                百利█通亚陶晶振规格

                单位

                FX贴片晶振频率范围

                石英晶振基本条件

                标准频率

                f_nom6

                6MHZ~125.0MHZ

                标准频率

                储存温度

                T_stg

                -40°C+125°C

                裸存

                工作温度

                T_use

                -30°C+85°C

                标准温度

                激励功率

                DL

                200μW Max.

                推荐:1μW100μW

                频率公差

                f_— l

                ±50 × 10-6(标准),
                (±15 × 10-6
                ±50 × 10-6可用)

                +25°C对□于超出标准的规格说明,
                请联系我□ 们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/

                频率温度特征

                f_tem

                ±30 × 10-6/-20°C+70°C

                超出标准的规格请①联系我们.

                负载电容

                CL

                8pF ,10PF,12PF,20PF

                超出标◣准说明,请联系我们.

                串联电阻(ESR)

                R1

                如下表所示

                -40°C—+85°C,DL = 100μW

                频率老化

                f_age

                ±5 × 10-6/ year Max.

                +25°C,第一年

                F6_FX 6035

                以下是石英晶振电路设计匹配问题:

                一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显╳示派生如下:

                镉和CG是外部负载电容,其中已∴建成的芯片组。 (请参阅芯片组的规格)

                Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置¤芯片一般设置。

                Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路√。

                一个稳定的石英晶体振荡♂器电路需要的负电阻▓,其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。

                例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡▼电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常〗重要的衡量负电阻(-R)以下说明:

                线路连接的㊣电阻(R)与晶体串联

                (2)从起点到振荡的停止点调整R的值。

                (3)振荡】期间测量R的值。

                (4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。

                附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定ぷ值。SIWARD晶振,贴片晶振,SX-5032晶振

                12MHZ贴片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振