富士晶振,高质量石英晶振,FTS-26B插件晶体.普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的♂密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除插件进口晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程↙序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
1994年3月与韩国SUNNY ELECTRONICS CORP,山梨县电波株式会社,Sunlead有限公司签订合同,扩大晶体器件的销售模式.1998年4月引入了网络分析仪,示波器和其他检查设备以提高质量.1998年11月美国Transko Electronics,Inc. 与之签订了购销合同.2000年7月台湾扬泰电子股份有限公司 与Fujicom晶振品牌签约销售.2001年1月推出自动晶体振荡器检查装置.2005年8月传输方式介绍了自动晶体振荡器检查装置.2008年6月与KEC签订合同,在日本销售KEC半导体.十月在东京商业峰会上展出.开始销售LED照明.十二月开始销售高压薄膜电容器.
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富士晶振 |
单位 |
FTS-26B晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10℃~+60℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
12.5pF |
不同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下Ψ 表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
粘合剂
请勿使用可能导致插件石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃⊙材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
耐焊性:
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振〖产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶◣振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温⌒ 度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
自动安装时的冲击:
石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对32.768K晶振特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前】后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则々会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
