超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在智能电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.
低频晶振←可从12MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性Ψ,产品本╲身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合ROHS标准.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶ω　振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺▃序,镀膜↓的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加∞集中,能控制在】最小ppm之内.

开始销售晶体器件.1994年3月与韩国SUNNY ELECTRONICS CORP,山梨县电波株式会社,Sunlead有限公司」签订合同,扩大晶体器件的销售☉模式.1998年4月引入了网络分析仪,示波㊣　器和其他检查设备以提高质量.1998年11月美国Transko Electronics,Inc.与之签订◇了购销合同.2000年7月台湾扬泰电子股份有限公司Fujicom晶振品牌签约销售.2001年1月□推出自动晶体振荡器检查装置.2005年8月传输方式介绍了自动晶体振荡器检查装置.2008年6月与KEC签订合同,在日〖本销售KEC半导体.十月在东京商业峰①会上展出.开始销售LED照明.十二月开始销售高压薄膜电容器.

富士晶振	单位	FSX-5M2晶振	石〓英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.000MHz~50.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40℃~+85℃	裸存
工作温度	T_use	-10℃~+70℃	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:10μW
频率公差	f_— l	±30ppm ±50ppm	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联∴系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
频率温度◣特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出标准的规格请联☆系我们.
负载电容	CL	18pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所①示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年