百利通亚陶晶振,高性能石英晶体,FLQ晶振.贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于⊙有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片无源晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技◣术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨≡所达不到的产品性能,使石英晶振的等效↘电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.
Diodes 公司为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,压电晶振产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场.Diodes 服务的市场包括消费性ㄨ电子、计算机、通讯、工业及汽车市场.Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护装置、特定功能数组、单闸极逻▲辑、放大器与比较△器、霍尔效应与温度传感器、电源管理装置 (包括 LED 驱动器)、AC-DC 转换器与控制器、DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与特殊功能装置 (例如 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及马达控制器).
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百利通亚陶晶振 |
单位 |
FLQ晶振 |
石英晶振『基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
12.000MHz~66.000MHz |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±10ppm~±50ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频∮率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
7pF~32pF |
不同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
粘合剂
请〓勿使用可能导致石英3225晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从①而破坏密封质量,降低性能.
如何正确的使用有源晶振
电处理:
将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正》负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损〒坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保∏使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精◆度.
有源晶振的负载电〗容与阻抗
负载电容与阻抗高精密石英晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置∑为负载阻抗输出频率和输『出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设▲置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体≡振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻♀抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以▲忽略.
机械处理
当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器←在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定╲现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查◇其特点.
自动ㄨ安装时的冲击:
石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产︼品特性并影响这些产品.请设置安装条件以尽可能将←冲击降至最低,并确保在安装前未对高质量石英晶振特性产生影响.条∩件改变时,请◆重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或◢其他电路板↘等.
