富士晶振,贴片晶振,FDO-500晶振,贴片式石英晶振,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以∞太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
贴片有源晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，石英晶体振荡器并且在密♀封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
|
项目 |
符号 |
晶振规格说明 |
条件 |
|
输出频率范围 |
f0 |
80-250MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
|
电源电压 |
VCC |
2.5-5.0V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
|
储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
G: -10℃to +70℃ |
请联系我们查看更多资料/ |
|
H: -40℃to +85℃ |
|||
|
|
|||
|
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
|
T: ±150 × 10-6 |
|||
|
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
|
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
|
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
|
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
|
输出负载条∞件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
|
输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
|
VIL |
20 % VCCMax. |
||
|
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
|
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
|
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。
噪音
在电源或输入端上施加◆执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,5032有源振荡器可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。压电SMD晶体同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,金属面封装压电石英晶体因此安装时,请检查安装方向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极快速⌒ 通电,否则会导¤致无法产生振荡和/或非正常工作。
富士晶振,贴片晶振,FDO-500晶振
富士晶振,有源晶振,FPO-500超小型有源晶振
富士晶振,有源晶振,FVO-500六脚差分晶振