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                全球首家上百万进口晶振代理商

                深圳市康华尔电子有限公司

                国际进口晶振品牌首选康华尔

                首页 日蚀晶振

                日蚀晶振,石英SMD晶振,E1SAA12-24.000M压电晶振

                日蚀晶振,石英SMD晶振,E1SAA12-24.000M压电晶振日蚀晶振,石英SMD晶振,E1SAA12-24.000M压电晶振

                产品简介

                普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻〓实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面◥支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用↑编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲〒线要求.

                产品详情

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                日蚀晶振,石英SMD晶振,E1SAA12-24.000M压电晶振.普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用∏金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.

                公司︻成立于1987年,是一家在频率控制市场上公认的市场领导者.我们最先进的耐高温晶振产品和▲领先的前沿技术使我们能够为我们的客户提供最好的晶体和振荡器产品.服务是Ecliptek成功的基▃石.我们考虑客户的合作伙伴,努力满足并超越他们对质量、客户服务和价值的要求.公司拥有专业的技々术支持和全面的质量计划,使其成为行业最优秀的频率控制产品资源.

                石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及☉生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英◥晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的SMD晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

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                日蚀晶振

                单位

                E1SAA12-24.000M晶振

                石英晶振◢基本条件

                标准频率

                f_nom

                24.000MHz

                标准频率

                储存温度

                T_stg

                -40°C ~+125°C

                裸存

                工作温度

                T_use

                0℃~+70℃

                标准温度

                激励功率

                DL

                1.0μW Max.

                推荐:10μW

                频率公差

                f_— l

                ±50ppm

                ±100ppm

                +25°C对于超出标准的规★格说明,
                请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/

                频率温度特征

                f_tem

                30 × 10-6,±50 × 10-6

                超出标准的规格请联系我们.

                负载电容

                CL

                12pF

                不同负载要求,请联系我们.

                串联电阻(ESR)

                R1

                如→下表所示

                -40°C — +85°C,DL = 100μW

                频率老化

                f_age

                ±3× 10-6/year Max.

                +25°C,第一年

                3

                E1SAA12-24.000M 49SMD

                4

                热影响

                重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英压电晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

                激励功率

                在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容).

                负极电阻

                除非石英晶】体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).

                负载电容

                有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通㊣ 过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

                自动ω安装时的冲击:

                石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未ω 对数码电子晶振特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等.

                电源线路

                电源的线路阻抗应尽可能低.

                输出负载

                建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间).

                未用输入终端的处理

                未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND.

                E1SAA12-24.000M 49S

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