KDS晶振,DSO751SBM晶振,进口贴片晶振
日本株式卐会社大真空晶振总公司设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正式注册成∑ 立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件石英晶振以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器⌒,音叉型▼晶体谐振器,晶体〓应用产品,晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.
大真空株式会社KDS晶振自1959年建立以来㊣一直遵从的三个理念”依赖”于”可靠的人”“可靠的产品”和”可靠的公司”.作为全球石英晶振制造ω商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒※适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器(VCXO),温补晶体振荡器(TCXO),恒温晶体振荡□ 器(OCXO),陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.
日本株式会社KDS晶振不断努力为我们的客户在日本国内外提供世界一流的质量和满意程度高.所生产石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振◎器,有源晶振等器件遍布全球,包括美国,英国,德国,到中国,新加坡,泰国和其他亚洲国家.以”依赖”为公司方针,以客户为导向,创新高效的经营管理,努力创造利润,履行企业♂社会责任.
日本大真空株式会社KDS晶振,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简ㄨ称(KDS晶振)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.
日本大真空株式会社KDS晶振品牌实力见证未来,KDS晶振集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有压控晶体振荡器,贴片晶振,陶瓷雾化△片〒,32.768K钟表晶振,温补晶振的生产工厂,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶振生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断.
KDS晶振,DSO751SBM晶振,进口贴片晶振
1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水◣晶振荡子.
1963公¤司变更为合股公司组织.
1965开始大规模生●产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英№晶体振荡器等部件.
1970年在东京办事处◎开业.
1973年开设kurodasho厂(现在的西胁工厂)生╳产晶体管.
1974年开设川厂(现在的凉厂)是目前人造石英晶体,(SPXO)普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.
1976年开设宫崎厂(目前九州大真空公司)为音叉型石◤英晶体谐振器生产,在加古川市完成★新总部.
1977年成立和谐电子公司建立大『真空(美国)有限公司开始向美国市▲场供应晶体谐振器.
1980年开设鸟取工厂█(目前鸟取生产部∞)对石英晶体》谐振器生产增加.同年开始生产石英晶体滤波器和时钟晶振.
1981年建立大真空(香港)公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,石英〓晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.
1983年大阪证券交易所二期上市.
1984年独立完成中心实验室】,开设德岛工厂(目前德岛生产部)作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规◆模生产光学低通滤波器.
1985年打开德︽岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡♂器,陶瓷晶振,声表Ψ 面谐振器⊙,贴片晶振,陶瓷〒雾化片打开配送中心在加古川市.
1987名古屋办事处开业.开始生产温补晶振(TCXO)和压控晶体振荡器∩(VCXO).
1988建立大真空(新加坡)有限公司加强在东盟地区销售.
1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS晶振印度尼西亚启动海外生产石英晶体谐振器.
1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空晶振(德国)公司加强在欧洲的销售.
1993建立了≡天津公司开始海外生产音叉晶振,石英晶体谐振器,石英晶体ζ振荡器,陶瓷晶振,32.768K晶振,时钟晶振,压电石英晶振.
1996获得ISO9001(国际标准化组织■质量管理标准).
1998(获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.)
2000获得ISO14001(环境管理体系由国际标准化▲组织),获得ISO / TS 16949(技术规↘范由国际标准化组织).
2003加大天津加工厂面积,扩大石英晶振生产规模,加强石』英晶振在中国的销售.成立上海锐致国际贸易有限公司,以和谐电子公司为我公司的╲综合子公司.加强石英晶振,压控晶体振荡器(VCXO),温补晶振(TCXO),恒温晶体振荡器(OCXO),陶瓷谐振器等器件业务.
2010建立大真空(泰国)有限公司.
2012扩大在加古川市中央实验室▃的地板尺寸.
2013东京证券交易▓所第一节上市.
| 項目 | 記号 | 特性コード |
出力周波数範囲 （MHz） |
規格 | 条件 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
電源 電圧 |
周波数 許容偏差 |
min. | Typ. | max. | 単位 | |||||
| 電源電圧 | VCC | Y | ＊ | 0.7≦fo≦90 | +4.5 | +5.0 | +5.5 | V | DSO＊＊＊SBM/SBN | |
|
周波数許容偏差 （常温偏㊣ 差含む） |
f_tol | ＊ | A | 0.7≦fo≦90 | -100 | - | +100 | X10-6 | -40~+85℃ |
-10~+70℃ （標◆準動作温度範囲） |
| B | 0.7≦fo≦90 | -50 | - | +50 | ||||||
| C | 0.7≦fo≦54 | -30 | - | +30 | -20~+70℃ | |||||
| 消費電流 | ICC | Y | ＊ | 0.7≦fo＜32 | - | - | 4.0 | mA | DSO＊＊＊SBM/SBN No Load | |
| 32≦fo＜54 | - | - | 6.0 | |||||||
| 54≦fo＜90 | - | - | 8.0 | |||||||
|
スタンバイ時電流 （＃1ピン"L"） |
I_std | ＊ | ＊ | ＊ | - | - | 50 | μA | ||
| 出力負荷 | L_CMOS | ＊ | ＊ | ＊ | - | - | 15 | pF | DSO＊＊＊SBM | |
| 波形シンメトリ | SYM | ＊ | ＊ | fo＜26 | 45 | 50 | 55 | % | 50% VCCLevel | |
| fo≧26 | 40 | 50 | 60 | |||||||
| 0レベル電圧 | VOL | ＊ | ＊ | ＊ | - | - | VCC×0.1 | V | ||
| 1レベル電圧 | VOH | ＊ | ＊ | ＊ | VCC×0.9 | - | - | |||
|
立上り時間 立下り時間 |
tr, tf | ＊ | ＊ | 0.7≦fo≦54 | - | - | 8（7） | ns |
DSO＊＊＊SBN/SVN （20~80％ VCCLevel） L_CMOS:30pF 10~90％ VCCLevel |
|
| 54＜fo≦90 | - | - | 5（4） | |||||||
| OE端子0レベル入力電圧 | VIL | ＊ | ＊ | ＊ | - | - | VCC×0.2 | V | ||
| OE端子1レベル入力電圧 | VIH | ＊ | ＊ | ＊ | VCC×0.8 | - | - | |||
| 出力ディスエーブル時間 | tPLZ | ＊ | ＊ | ＊ | - | - | 150 | ns | ||
| 出力イネーブル時間 | tPZL | ＊ | ＊ | ＊ | - | - | 1 | ms | ||
| ピリオド ジッタ（1） | tRMS | ＊ | ＊ | ＊ | - | 2.5 | - | ps | σ | |
| tp-p | ＊ | - | 20 | - | Peak to peak | |||||
| トータル ジッタ （1） | tTL | ＊ | ＊ | ＊ | - | 35 | - | ps | tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2) | |
| 位相ジッタ | tpj | ＊ | ＊ | 40≦fo≦90 | - | - | 1 | ps | fo offset:12kHz~20MHz | |
| 10≦fo＜40 | fo offset:12kHz~5MHz | |||||||||
| 梱包単位 | 1000pcs./reel（φ254） | |||||||||
KDS晶振,DSO753SK晶振,LV-PECL晶振
KDS晶振,DSO751SR晶振,低电压晶↘振
KDS晶振,DSV753SV晶振,低电压晶振