微晶晶振,插件石英晶振,DS26圆柱晶体.插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品＠,比如〒儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使＠ 用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机◣上的石英晶振,在极端严酷的环境条件◆下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振↘性等的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损〇的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅▲焊接的回流温度曲线要求.
微晶的管理团队以及领导的工作人员.职位提供了一个积极的例子,在所▃有领域的质量行为.公司.他们激励员工始终如一地思考问题.质量与成本.必须迅速分▲析、纠正目前存在的问々题,和适当的措施.所有的经理负责娱乐一个内部环境,在那里可以公开指出问题ξ 并进行讨论.通过不断改进技术,过程、产品、服务、质量、环境保护、安全和『安全方面,微晶Microcrystal晶振也将保持其在未来的市场地位.
石英晶◇振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目︼前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材〓、镀几＠ 种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率◢设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片无源晶振频率更加集中,能控制在╱最小ppm之内.
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微晶晶振 |
单位 |
DS26晶振 |
石英晶振基本↘条件 |
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标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-20°C～+70°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10℃~+60℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±20ppm ±30ppm ±100ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们∏以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温→度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
7.0pF/8.2pF/9.0pF/12.5pF |
不同负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近高精度石英↙晶振的地方(在20mm范围之间).
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工♀作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英低功耗晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡↓回路中分配足够多的负极电阻,否则进口欧美晶振或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图∞通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载☉电容(请参阅“负载电容”章节内容).
晶体振荡器和实时时钟模块
所有石英晶体压控控制振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.
噪音
在电源或输入端上施加执∴行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
