KDS晶振,DS1008JS晶振,车载电子晶振
日本大真空株㊣ 式会社KDS晶振,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀ぷ请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简称〗(KDS晶振)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.KDS晶振总公司╲设立在日本国兵库县加古川市「平冈町新在家，创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元＠ 之多,主要从事电子元件石英晶振以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器，音叉型晶体谐振器，晶体■应用产品，晶体振荡器ζ，晶体滤波器，晶体光学产品，硅晶体时钟设备，MEMS振荡器等。大真空株式会社KDS晶振自1959年建立以︻来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”。作为全球石英晶振制造商，大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会，更方便人们』更舒适，通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶振（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好。KDS晶振公司的现在的发展不是立马就腾达起来的,而是靠着整个团队一点一滴的经历挫折与磨难,累积经验给▲整合起来的.
日本大真空株式会社,【KDS】品牌,实力∏见证未来,KDS集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶振生㊣ 产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断,从最初的32.768K晶体为主,到现在以小体积贴片晶体振荡器为主,体积已经是全世界石英晶体振荡器之▓中最小的.
高精度石△英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因ζ 其弹性性质,压电性质,温度性〖质不同,其电特性也各异,石英耐高温晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.
普通石英压控晶振,外观完全使用金属材料封装的,产∴品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体振荡器,焊接方面╳支持表面贴装,外☆观采用金属封装,具有充分的密封卐性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动①贴片机告诉安装,满♂足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
KDS晶振,DS1008JS晶振,车载电子晶振
日本株式⊙会社大真空KDS晶振三种信赖行为守则：
可靠的人以独立,自助,自足的努力作为基本▽的行动原则,我们将充分利用我们的优势①,为社会整体和接近一切真诚和热情.
可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,,我们将帮助实现一个富裕的社↑会,通过优化我们的能力,开发最好的产品和服】务,并提供给我们所有的客户在世界各地.
可靠的KDS晶振公司,我们努力履行我们的企业社会责任,通过持续的利润,通过企业活々动,遵守所有的法律法规,尊重他们的精神,注重与全球环境的和谐.
1我们对KDS晶振公司的管理政策,管理原则︾和管理措施有正确的认识,并本着KDS晶振公司和全社会的利益,不关心个人的利益和成本.
2我们将从观念到问题的解决,而不受制于陈々规或惯例.
3我们会不□时与有关人士进行讨论,如有需要,以方¤便谈判的调整,并将建立良好的关系,试图解决任何问题的诚意.
4我们①将通过理解对方的立场,继续说服对▆方,以便□ 处理石英晶振,贴片晶振,陶瓷雾化片,石英晶体谐振器,任何疑难问题.
5我们将始终有一个环境兼容性◣和执行环境兼容的活动作为我们ㄨ的主要主题之一.
6我们将在每一种情※况下充满信心地工作并有精神完成工作.
7我们将努力建立这样的性格和个人磁性被接受和信№任周围的每一个人.
8我们要努力建立良好的人际关系,有时要勇于接受♂别人的脆弱.
9我们将遵守法律法规以及任何规则,包括各种规章制度和既定的社会规范,并确保信息的安全性认识到信息的重要性.
10我们将始终采取一个明智的行动作为Ψ 社会成员.
| 項目 | 記号 | 規格値 | 条件 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min. | typ. | max. | 単位 | ||||
| 出力周波数範囲 | fo | 1 | - | 100 | MHz | ||
| 電源電圧 | VCC | +1.6 | - | +3.6 | V | ||
|
周波数許容偏差 （常温偏差含む） |
f_tol | -100 | - | +100 | ×10-6 | -40~+125℃ |
-20~+70℃ （標準動作温度範囲） |
| -50 | - | +50 | |||||
| -30 | - | +30 | -30~+85℃ | ||||
| -20 | - | +20 | |||||
| -20 | - | +20 | -20~+70℃ | ||||
| 消費電流 | ICC | - | - | 1.8 | mA | fo=24MHz, VCC=+1.8V, No Load | |
| スタンバイ時電流（#1 ピン"L"） | I_std | - | - | 0.01 | mA | ||
| 出力負荷 | L_CMOS | - | - | 15 | pF | ||
| 波形シンメトリ | SYM | 45 | 50 | 55 | % | at 50% VCC, fo<60MHz | |
| 立上り時間、立下り時間 | tr, tf | - | - | 5 | ns | 10~90% VCCLevel | |
| 出力イネーブル時間 | tPZL | - | - | 2 | ms | ||
| 出力ディスエーブル時間 | tPLZ | - | - | 200 | ns | ||
| OE端子1レベル入力電圧 | VIH | VCC× 0.8 | - | - | V | ||
| OE端子0レベル入力電圧 | VIL | - | - | VCC× 0.2 | V | ||
| 梱包単位（1） | 3000pcs./reel （φ180） | ||||||
KDS晶振,DSX1008A晶振,高性能晶振
KDS晶振,DS1008JN晶振,超小型晶振