鸿星晶振,有源晶振,D7SV晶振,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振←器,焊接方面支持表面贴㊣ 装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包╲装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片∞通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的◆长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一※项不完善都会使7050晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。
项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
1.75-200MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
0.5-4.5V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -20℃to +70℃ |
请联系我们查看更多资料/ |
H: -40℃to +85℃ |
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频率稳★定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工△作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
振荡〓启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
石英晶振自动安装和真〖空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重【新检查安装条件。同时,在安装前后,压控晶体振荡器请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。
每个封装类型的【注意事项
(1)陶瓷包装晶√振与SON产品
在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会※因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,鸿星晶振务必确保在▆应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。
(2)陶瓷包■装石英晶振
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装石英晶振时①,在温度长时间重复变化时可能导①致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
(3)柱面式DIP晶振产品
产品的玻璃部分直接ω 弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发】生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当有源晶振的引脚需◎弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免︾发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分〗进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致¤气密性受到损坏。7050压控晶振所以在々此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。
鸿星晶振,有源晶振,D7SV晶振