京瓷晶振,CX3225SB晶振,CX3225SB48000X0WSBCC无源晶体.小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石◤英晶体Ψ 谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有↓优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,WirelessLAN等短距离无线通信领域可发挥优〓良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生【产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶体谐振器该选用何镀材、镀几种材料、几种︽镀材的镀膜顺序,镀膜〖的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控※制在最小ppm之内.
产品技术方面,除了不断提升既有产品规格的精密度及稳定性之▅外,我们更专注开发高温度耐受性的产品,特殊应用领域之规格,并朝小型化开发设计,以满足终端产品的发展趋势. 京瓷晶振电子历经①几十年的经营,在追求技术及销售之余,我们更竭力于环境的保护,投入绿色化产品及材料的开发,秉持取→之于社会,用之于社♀会的理念,推动环保,节能及社会回馈等生活概念,期盼带动我们企业的同仁,3225贴片晶振供应商伙伴及客户群参与并发起社会活动,共同※创造美好,健康的未来.
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京瓷晶振规格 |
单位 |
CX3225SB晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
12~54MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C ～ +125°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C ～ +125°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ～ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±15 × 10-6 |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±50× 10-6 |
超出标准的规格请联¤系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF |
超出标准说明,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.
辐射
暴露于辐射环境会导致四脚贴片晶振性能受到损害,因此应避免照射.
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏智能手机晶振.
粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属盖,从而破坏密封质量,降低性能.)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用产品.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可∑ 能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处□理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
激励功率
在小体积石英3225晶振单元上施加过多驱动∮力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率.
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加.
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用╳之前,请指明该振动电路的负载电容.
晶体振荡器和实时时钟模块
所有晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会▽增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶体单元的产品特性,并导致塑料封〗装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致㊣故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
Raltron晶振,石英晶体,RH100晶振