IDT晶振,8N3QV01晶振,压控晶振.智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴』片型石英晶体振荡器↓,最适用于移动通信终端的基∮准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的▓数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特№性,耐环境性能╳适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英〗晶振多层、多金属㊣的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选◥用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方▂法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶↑振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.
IDT的传感器信号调节∩器适用于各种汽车应用,包括电力转向、排放控制、可变阀门定时、液位测量、航向通风◥和空调(HVAC).IDT的创新☆时机、互连、PMIC和无线电力解决方案使客户能够开发具有创新功能、改进性◣能和延长电池寿命的移动和个人电子产品.IDT晶振的集成电路用于世界各地的通信、计算和消费行︻业.IDT总部位于加州圣何塞市,在世∑界各地都设有设计、运营和销售设♂施.
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IDT晶振 |
8N3QV01晶振 |
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输出类型 |
LVPECL |
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输出负载 |
15pF |
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振荡模式 |
基本/第三泛音 |
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电源电压 |
+1.8V，+2.5V，+3.3V |
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频率范围 |
15.476MHz~866.67MHz |
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频率稳定度 |
±20ppm ±25ppm ±50ppm ±100ppm |
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工作温度 |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
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保存温度 |
-65℃~+150℃ |
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电压卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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启动时间 |
5 ms Max |
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相位抖动（12兆赫~20兆赫） |
1个PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
IDT晶振,8N3QV01晶振,压控晶振,机械振动的影√响
当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬●声器,压电蜂鸣●器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通ξ信器材通信质量有影响.尽管OSC晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.
耐焊性:
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏ξ 产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至进口晶振使用◥更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度↘和时间.同时,在安装条件更改的▓情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进》行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低№.
输出负载
建议←将石英7050晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器▅的地方（在20 mm范围之间）.
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导ζ致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接♂到VCC 或GND.
有源晶振的负载电容与阻ζ 抗
负载电容与阻抗有源高质量石英晶振设置一个规定的』负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输〓出波形.特别是设︽置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量∏输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输㊣ 入阻抗的测量仪器,不同▆的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以╲忽略.
使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用石英智能家居〓晶振.这个温度涉及本体的和季节№变化的温度.在高湿环境下,会由于凝露引起故障.请避免凝卐露的产生.
