Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器，尺寸7.00x5.00mm，频率125MHZ，输出逻辑↘为◥LVPECL，电压3.3V，频率稳】定性20ppm，脚位6-SMD，XO时钟晶体振荡∏器（标准） ，OSC晶振，贴片差分晶振，有源∑晶体振荡器，LVPECL输出晶振，LVPECL差分晶振，差分晶◣体振荡器，小体◥积差分晶振，六脚贴片差分晶振，低抖动差分△晶振，低功耗差分≡晶振，低相位差分晶←振，低电压差分晶振，高质量差分晶振，路由器㊣专用差分晶振，交换机差●分晶振，网络设备差分晶振，电信专用差分晶≡振，具有低功耗低抖动的特点，产品特别适用于10/40/100G数据中心，10G以太网＠交换机/路由器，光纤通道/SAS/存储，企业№服务器，网络，电信等领∮域。

Si535/536 XO采用了Skyworks Solutions先进的DSPLL电路以在高速差分频率下提供超低抖动时钟。 不像传统的XO，每个输出需要不同的晶体频ω率，Si535/536差分〗晶体振荡器使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器提供卓越的频率〓稳定性和可靠性。此外，DSPLL时钟╳合成提供出色的电源噪声抑制，简※化了任务在高噪声环境中产生低抖动时钟，常见于通信系统。基于Si535/536 IC的XO是工厂编程，因此消除了与★定制振荡器√。Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器.

Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器，尺寸7.00x5.00mm，频率125MHZ，输出逻辑为LVPECL，电压3.3V，频率稳定性20ppm，脚位6-SMD，XO时钟晶体振荡器（标准） ，OSC晶振，贴片差分晶振，有源晶↘体振荡器，LVPECL输出晶振，LVPECL差分晶振，差ξ　分晶体振荡器，小体积差分晶振，六脚贴片差分晶振，低抖动差分晶振，低功耗差分晶振，低相位》差分晶振，低电压差分晶振，高质量差分晶振，路由器专用差分晶振，交换机差分晶振，网络设备差分晶振，电信专用差分晶振，具有低功耗低抖动的特点，产品特别适用于10/40/100G数据中心，10G以太网交换机/路由器，光纤通道/SAS/存储，企ξ　业服务器，网络，电信等〒领域。

Si535/536 XO采用了Skyworks Solutions先进的DSPLL电路以在高速差分频率下提供超低抖动时钟。 不像传统的XO，每个输出需要不同的晶体╳频率，Si535/536差分晶体振荡器使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器提供卓越的频率稳定性和可◥靠性。此外，DSPLL时钟合成提供出色的电源噪声□　抑制，简化了任务在高噪声环境中产生低抖动时钟，常见于通信系统。基于Si535/536 IC的XO是工厂编程，因此消除了与定制振荡器。Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器.

Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器参数表

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Supply Voltage1

VDD

3.3 V option

2.97

3.3

3.63

V

2.5 V option

2.25

2.5

2.75

V

Supply Current

IDD

Output enabled LVPECL LVDS

— —

111 90

121 98

mA

Tristate mode

—

60

75

mA

Output Enable (OE)2

VIH

0.75 x VDD

—

—

V

VIL

—

—

0.5

V

Operating Temperature Range

TA

–40

—

85

°C

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Nominal Frequency1

fO

LVPECL/LVDS

100

—

312.5

MHz

Initial Accuracy

fi

Measured at +25 °C at time of shipping

—

±1.5

—

ppm

Temperature Stability1,2

–7 –20

— —

+7 +20

ppm

Aging

fa

Frequency drift over first year

±3

ppm

Frequency drift over 20 year life

—

—

±10

ppm

Total Stability2

Temp stability = ±20 ppm

—

—

±31.5

ppm

Temp stability = ±7 ppm

—

—

20

Powerup Time3

tOSC

TA= –40°C — +85°C

10

ms

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

LVPECL Output Option1

VO

Mid-level

VDD– 1.42

—

VDD– 1.25

V

VOD

Swing (diff)

1.1

—

1.9

VPP

VSE

Swing (Single-ended)

0.55

—

0.95

VPP

LVDS Output Option2

VO

Mid-level

1.125

1.20

1.275

V

VOD

Swing (diff)

0.5

0.7

0.9

VPP

Rise/Fall time (20/80%)

tR,tF

—

—

350

ps

Symmetry (duty cycle)

SYM

Differential

45

—

55

%

Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振荡器 尺寸图

OscillatorCrystal产品特性：

可从以下频率中选择

100MHz至312.5MHz

集成superior的第三代DSPLL

抖动性能和高功率

电源噪声抑制

频率稳定▽性比高3倍

基于SAW的振荡器

LVPECL和 LVDS输出

3.3和2.5 V电源选项

行业标准5x7毫米

封装和▃引脚排列

无铅/符合RoHS标准

更多相关美国Silicon晶振型号

Manufacturer Part Number原厂代码	Manufacturer品牌	Series型号	Frequency 频率	Voltage - Supply电压	Frequency Stability频率稳定度
530EC200M000DG	Silicon振荡器	Si530	200MHz	2.5V	±7ppm
531FC155M520DG	Silicon振荡器	Si531	155.52MHz	2.5V	±7ppm
531EC156M250DG	Silicon振荡器	Si531	156.25MHz	2.5V	±7ppm
530FC155M520DG	Silicon振荡器	Si530	155.52MHz	2.5V	±7ppm
530BC000110DG	Silicon振荡器	Si530	148.35165MHz	3.3V	±7ppm
530FC148M500DG	Silicon振荡器	Si530	148.5MHz	2.5V	±7ppm
536AB125M000DG	Silicon振荡器	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm
535EB125M000DG	Silicon振荡器	Si535	125MHz	2.5V	±20ppm
536EB125M000DG	Silicon振荡器	Si536	125MHz	2.5V	±20ppm
535BB125M000DG	Silicon振荡器	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm
535BB156M250DG	Silicon振荡器	Si535	156.25MHz	3.3V	±20ppm
535FB156M250DG	Silicon振荡器	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm
530EC312M500DG	Silicon振荡器	Si530	312.5MHz	2.5V	±7ppm
530BC250M000DG	Silicon振荡器	Si530	250MHz	3.3V	±7ppm
530EC311M040DG	Silicon振荡器	Si530	311.04MHz	2.5V	±7ppm
530FC311M040DG	Silicon振荡器	Si530	311.04MHz	2.5V	±7ppm
530FC622M080DG	Silicon振荡器	Si530	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531AC311M040DG	Silicon振荡器	Si531	311.04MHz	3.3V	±7ppm
531BC311M040DG	Silicon振荡器	Si531	311.04MHz	3.3V	±7ppm
531EC311M040DG	Silicon振荡器	Si531	311.04MHz	2.5V	±7ppm
531EC622M080DG	Silicon振荡器	Si531	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531FC622M080DG	Silicon振荡器	Si531	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531FC311M040DG	Silicon振荡器	Si531	311.04MHz	2.5V	±7ppm
530BC311M040DG	Silicon振荡器	Si530	311.04MHz	3.3V	±7ppm
531BC622M080DG	Silicon振荡器	Si531	622.08MHz	3.3V	±7ppm
531FC312M500DG	Silicon振荡器	Si531	312.5MHz	2.5V	±7ppm
530EC622M080DG	Silicon振荡器	Si530	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531EC312M500DG	Silicon振荡器	Si531	312.5MHz	2.5V	±7ppm
530BC622M080DG	Silicon振荡器	Si530	622.08MHz	3.3V	±7ppm
531AC250M000DG	Silicon振荡器	Si531	250MHz	3.3V	±7ppm
530AC311M040DG	Silicon振荡器	Si530	311.04MHz	3.3V	±7ppm
530FC312M500DG	Silicon振荡器	Si530	312.5MHz	2.5V	±7ppm
531EC250M000DG	Silicon振荡器	Si531	250MHz	2.5V	±7ppm
530AC312M500DG	Silicon振荡器	Si530	312.5MHz	3.3V	±7ppm
530EC250M000DG	Silicon振荡器	Si530	250MHz	2.5V	±7ppm
530AC250M000DG	Silicon振荡器	Si530	250MHz	3.3V	±7ppm
530FC250M000DG	Silicon振荡器	Si530	250MHz	2.5V	±7ppm
530BC312M500DG	Silicon振荡器	Si530	312.5MHz	3.3V	±7ppm
531BC312M500DG	Silicon Crystal	Si531	312.5MHz	3.3V	±7ppm
530FC50M0000DG	Silicon振荡器	Si530	50MHz	2.5V	±7ppm
535AB125M000DG	Silicon振荡器	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm
501AAA27M0000DAF	Silicon振荡器	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA27M0000DAG	Silicon振荡器	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501JCA100M000CAG	Silicon振荡器	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501JCA100M000BAG	Silicon振荡器	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501HCAM032768BAF	Silicon振荡器	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501BCAM032768DAG	Silicon振荡器	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768DAG	Silicon振荡器	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm