Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振，尺寸7.00mmx5.00mm，频率156.25MHZ，支持输出LVPECL，XO时钟振荡器（标准），电压 2.5V，脚位6-SMD，六脚贴片晶振，有源晶振，有源贴片晶振，LVPECL输出晶振，差分晶振LV-PECL，贴片差分晶振，差分晶体振荡器，低电压差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，低抖动ω　差分晶振，网络应用差分晶振，高清视频差分晶振，测试测量专用差分晶振，具有低抖动低电压的特点，产品十分适合用于SONET/SDH，网络 标清/高清视频，测试和测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域。

基于Si530/531 IC的XO有源晶体振荡器可在工厂进行配置对于包括频率、电源电压、电源电压等的各种各样的用户规范，输出格式和温度稳定性。具体配置为出厂配置在装运时进行编程，从而消除长交付周期与定制振荡器相关。Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振.

Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振，尺寸7.00mmx5.00mm，频率156.25MHZ，支持输出LVPECL，XO时钟振荡器（标准），电压 2.5V，脚位6-SMD，六脚贴片晶振，有源晶振，有源贴片晶振，LVPECL输出晶振，差分晶振LV-PECL，贴片差分晶振，差分晶体振荡器，低电压差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，低抖♂动差分晶振，网络应用差分晶振，高清视频差分晶振，测试测量专用差分晶振，具有低抖动低电压的特点，产品十分适合用于SONET/SDH，网络 标清/高清视频，测试和测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域。

基于Si530/531 IC的XO有源晶体振荡器可在工厂进行配置对于包括频率、电源电压、电源电压等的各种各样的用户规范，输出格式和温度稳定性。具体配置为出厂配置在装运时进行编程，从而消除长交付周期与定制振荡器相关。Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振.

Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振参数表

Parameter							Symbol			Test Condition					Min			Typ			Max		Unit
Supply Voltage1							VDD			3.3 V option					2.97			3.3			3.63		V
										2.5 V option					2.25			2.5			2.75		V
										1.8 V option					1.71			1.8			1.89		V
Supply Current							IDD			Output enabled LVPECL CML LVDS CMOS					— — — —			111 99 90 81			121 108 98 88		mA
										Tristate mode					—			60			75		mA
Output Enable (OE)2										VIH					0.75 x VDD			—			—		V
										VIL					—			—			0.5		V
Operating Temperature Range							TA								–40			—			85		ºC

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Nominal Frequency1,2

fO

LVPECL/LVDS/CML

10

—

945

MHz

CMOS

10

—

160

MHz

Initial Accuracy

fi

Measured at +25 °C at time of shipping

—

±1.5

—

ppm

Temperature Stability1,3

–7 –20 –50

—

+7 +20 +50

ppm

Aging

fa

Frequency drift over first year

—

—

±3

ppm

Frequency drift over 20 year life

—

—

±10

ppm

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Total Stability

Temp stability = ±7 ppm

—

—

±20

ppm

Temp stability = ±20 ppm

—

—

±31.5

ppm

Temp stability = ±50 ppm

±61.5

ppm

Powerup Time4

tOSC

10

ms

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

LVPECL Output Option1

VO

mid-level

VDD– 1.42

—

VDD– 1.25

V

VOD

swing (diff)

1.1

—

1.9

VPP

VSE

swing (single-ended)

0.55

—

0.95

VPP

LVDS Output Option2

VO

mid-level

1.125

1.20

1.275

V

VOD

swing (diff)

0.5

0.7

0.9

VPP

CML Output Option2

VO

2.5/3.3 V option mid-level

VDD– 1.30

V

1.8 V option mid-level

VDD– 0.36

V

VOD

2.5/3.3 V option swing (diff)

1.10

1.50

1.90

VPP

1.8 V option swing (diff)

0.35

0.425

0.50

VPP

CMOS Output Option3

VOH

IOH= 32 mA

0.8 x VDD

VDD

V

VOL

IOL= 32 mA

0.4

V

Rise/Fall time (20/80%)

tR,tF

LVPECL/LVDS/CML

350

ps

CMOS with CL= 15 pF

1

ns

Symmetry (duty cycle)

SYM

LVPECL: (diff) LVDS: CMOS:

VDD– 1.3 V 1.25 V (diff) VDD/2

45

55

%

Silicon晶体振荡器\530EC156M250DG\Si530欧美晶体\6G无线网络晶振 尺寸图

OSC晶振产品特性：

可用于任何速率的输出

频率从10兆赫到945兆赫

并选择1.4 GHz的频率

集成superior的第三代DSPLL 抖动性能

频率稳定性比高3倍

基于SAW的振荡器

内部固定晶振频率

确保高可靠性和低老化

可用的CMOS、LVPECL、 LVDS和CML输出 3.3、2.5和1.8 V电源选项

行业标准5 x 7毫米

封装和引脚排列

无铅/符合RoHS标准

更多相关美国Silicon晶振型号

欧美晶振原厂代码	Manufacturer品牌	Series型号	Frequency 频率	Voltage - Supply电压	Frequency Stability频率稳定度
531EC155M520DG	Silicon振荡器	Si531	155.52MHz	2.5V	±7ppm
530EC187M500DG	Silicon振荡器	Si530	187.5MHz	2.5V	±7ppm
531AC187M500DG	Silicon振荡器	Si531	187.5MHz	3.3V	±7ppm
531EC187M500DG	Silicon振荡器	Si531	187.5MHz	2.5V	±7ppm
530AC000110DG	Silicon振荡器	Si530	148.35165MHz	3.3V	±7ppm
530AC148M500DG	Silicon振荡器	Si530	148.5MHz	3.3V	±7ppm
530EC000110DG	Silicon振荡器	Si530	148.35165MHz	2.5V	±7ppm
530FC000110DG	Silicon振荡器	Si530	148.35165MHz	2.5V	±7ppm
531EC000110DG	Silicon振荡器	Si531	148.35165MHz	2.5V	±7ppm
531EC148M500DG	Silicon振荡器	Si531	148.5MHz	2.5V	±7ppm
530BC155M520DG	Silicon振荡器	Si530	155.52MHz	3.3V	±7ppm
530EC156M250DG	Silicon振荡器	Si530	156.25MHz	2.5V	±7ppm
530AC187M500DG	Silicon振荡器	Si530	187.5MHz	3.3V	±7ppm
530BC187M500DG	Silicon振荡器	Si530	187.5MHz	3.3V	±7ppm
530FC187M500DG	Silicon振荡器	Si530	187.5MHz	2.5V	±7ppm
530EC148M500DG	Silicon振荡器	Si530	148.5MHz	2.5V	±7ppm
530EC200M000DG	Silicon振荡器	Si530	200MHz	2.5V	±7ppm
531FC155M520DG	Silicon振荡器	Si531	155.52MHz	2.5V	±7ppm
531EC156M250DG	Silicon振荡器	Si531	156.25MHz	2.5V	±7ppm
530FC155M520DG	Silicon振荡器	Si530	155.52MHz	2.5V	±7ppm
530BC000110DG	Silicon振荡器	Si530	148.35165MHz	3.3V	±7ppm
530FC148M500DG	Silicon振荡器	Si530	148.5MHz	2.5V	±7ppm
536AB125M000DG	Silicon振荡器	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm
535EB125M000DG	Silicon振荡器	Si535	125MHz	2.5V	±20ppm
536EB125M000DG	Silicon振荡器	Si536	125MHz	2.5V	±20ppm
535BB125M000DG	Silicon振荡器	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm
535BB156M250DG	Silicon振荡器	Si535	156.25MHz	3.3V	±20ppm
535FB156M250DG	Silicon振荡器	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm
530EC312M500DG	Silicon振荡器	Si530	312.5MHz	2.5V	±7ppm
530BC250M000DG	Silicon晶振	Si530	250MHz	3.3V	±7ppm
530EC311M040DG	Silicon振荡器	Si530	311.04MHz	2.5V	±7ppm
530FC311M040DG	Silicon振荡器	Si530	311.04MHz	2.5V	±7ppm
530FC622M080DG	Silicon振荡器	Si530	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531AC311M040DG	Silicon振荡器	Si531	311.04MHz	3.3V	±7ppm
531BC311M040DG	Silicon振荡器	Si531	311.04MHz	3.3V	±7ppm
531EC311M040DG	Silicon振荡器	Si531	311.04MHz	2.5V	±7ppm
531EC622M080DG	Silicon振荡器	Si531	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531FC622M080DG	Silicon振荡器	Si531	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531FC311M040DG	Silicon振荡器	Si531	311.04MHz	2.5V	±7ppm
530BC311M040DG	Silicon振荡器	Si530	311.04MHz	3.3V	±7ppm
531BC622M080DG	Silicon振荡器	Si531	622.08MHz	3.3V	±7ppm
531FC312M500DG	Silicon振荡器	Si531	312.5MHz	2.5V	±7ppm
530EC622M080DG	Silicon振荡器	Si530	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531EC312M500DG	Silicon振荡器	Si531	312.5MHz	2.5V	±7ppm
530BC622M080DG	Silicon振荡器	Si530	622.08MHz	3.3V	±7ppm
531AC250M000DG	Silicon振荡器	Si531	250MHz	3.3V	±7ppm
530AC311M040DG	Silicon振荡器	Si530	311.04MHz	3.3V	±7ppm
530FC312M500DG	Silicon振荡器	Si530	312.5MHz	2.5V	±7ppm
531EC250M000DG	Silicon振荡器	Si531	250MHz	2.5V	±7ppm
530AC312M500DG	Silicon振荡器	Si530	312.5MHz	3.3V	±7ppm
530EC250M000DG	Silicon振荡器	Si530	250MHz	2.5V	±7ppm
530AC250M000DG	Silicon振荡器	Si530	250MHz	3.3V	±7ppm
530FC250M000DG	Silicon振荡器	Si530	250MHz	2.5V	±7ppm
530BC312M500DG	Silicon振荡器	Si530	312.5MHz	3.3V	±7ppm
531BC312M500DG	Silicon振荡器	Si531	312.5MHz	3.3V	±7ppm
530FC50M0000DG	Silicon振荡器	Si530	50MHz	2.5V	±7ppm
535AB125M000DG	Silicon振荡器	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm