ILSI晶振,低功耗晶振,38插件晶体.引脚焊接型石英晶体元件.工厂仓库长时间大量库存常用频╲点,.高精度的频率和晶振本身更低的等效串联电¤阻.常用负载电容,49/S石英晶振,因插件型镜头成本更低和更高的批量生产能力.主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机』家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.
ILSI艾尔西晶振总部位于内华达州里诺,在加利福尼亚州南部设有办事处,该公司被认为是灵活而响应迅速的提供交钥匙供应链管理解决方案,编程的♂组织服务和工程支持.我们提供陶瓷谐振器以及石英∏或压电晶体滤波器. 我们的所有产品均㊣ 按照ILSI工厂控▂制系统的最高质量标准制造.ILSI晶振以其快速灵活的供应解决方案以及具有竞争力的频★率控制产品价格而受到公认.
石英晶振高精度△晶片的抛光技术:贴片无源晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终〓使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从ζ 而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的◇状态.
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ILSI晶振 |
单位 |
38晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联※系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
12.5pF |
不同负载◣要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振.即使少量的卤素气体▅,比如在空气中的氯气内▲或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的①树脂.
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害谐振器.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD晶体.在下列回流条件下,对晶体产品甚至插件石英晶振使用更高温度,会破坏产品特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这︾些产品之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要々焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下◤受到损坏.例如从桌↑上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损□害,因此应避免照射.
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解32.768K晶振或包装材料的环№境下使用或储藏这些产品.
粘合剂
请勿使用可能导☆致SMD晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀→的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
