KDS晶振,压控温补晶振,DSA535SC晶振,1XTQ12800UBA晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直∞接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包☆装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有』几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术：是超小型、超低频石英晶振晶ㄨ体元器件研发及生产必须解决的技术问题，为3225差分晶振行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速↘倒边方式，通过结合♂以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半㊣　径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理

项目	符号	规格说明	条件
输出〓频率范围	f0	10-30MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	2.6-3.3V	请联ζ　系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃to +70℃	请联【系我们查看更多资料/
		H: -30℃to +85℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频◇率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

KDS有源晶※振产品列表：

1.DIP 产品

已变形的石英晶振引脚不能插入板孔中。请勿施加过大压力,以免』引脚变形。

2.SOJ 产品和SOP 产品

请勿施加过大压力,以免石英晶体振荡器引脚变形。已变形的DIP晶振引脚焊接时会→造成浮起。尤其是SOP产品需▓要更加小心处理。

3.超声波清洗

（1）使用AT-切割晶体和表面滤波器（SAW）/声表面谐振器○的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶振特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损㊣坏。确保已事先检查系统的适用性。

（2）使用音叉晶体和陀螺仪传感器的贴片型TCXO晶振产品无法确保能够◥通过超声波方法进行清洗,因为晶振可能受到破坏。

（3）请勿清洗开启式晶振产品

（4）对于可清洗晶振产◤品,应避免使↑用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。

（5）焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。

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