日蚀独家首创的10ppm石英晶体EB1216JA10-24.576M TR,适合6GWIFI产品，作为行业的领先者日〓蚀公司，凭借着自身的才智与努力，实现自我价值的同时也赢得无数好评与支持，随着自身的实力爆发式增长，针对性目前的物联网市场开发适合优良产品，编码EB1216JA10-24.576M TR，型号EB1216，频率为24.576MHz，频率容差 ±15ppm，SMD晶体，负载电容10pF，脚位4-SMD，汽车级石英晶体谐振器1.2毫米x1.6mm毫米x0.4mm毫米4焊盘陶瓷表面贴装(SMD).

高频基本▲音晶体需求量很大，尤其是物联网行业的无线应用。我们越来越经常地发现设备通过无线电相互通信和交换数据，例如通过蓝牙、ZigBee或ISM。所有这些无线电标准都使用三位数兆赫或千兆赫范围内的频带。为了产生这些射频频率，这些器件需要非常精确的参考晶体，其频率范围约为20至52兆赫。

无线行业的要求:超薄和高精度

具有如此高谐振频率的石英晶体必须是超薄的。石英越厚，其频率越卐低，越不适合无线应用。

生产足够薄的石英盘需要一系列的生产步骤。原始晶体块逐渐被分成更小的单元。最小的单元◇最终是“坯料”，它被锯、磨、蚀刻和抛光以产生正确的厚度和特别光滑的表面。例如，为了生产谐振频率ω为40兆赫的石英坯件，石英盘⌒的厚度必须仅为41.5微米。

由于其额定频率为40兆赫，这种石英盘已经非常适合无线应用；但事Ψ 情没那么简单。除了相当高的标称频率之外，还需要ppm范围内的最小误差容差(ppm=百万分之一)。这种高精度是必▅要的，因为各个通道的无线电频率彼⊙此非常接近，尤其是在高频范围内。如果要避免不同无线电频率的重叠，必须确保基本参考频率的最低频率容差。

这对晶体生产提出了挑战，这可以用40兆赫贴片石英晶振的例子→来说明。如上所述，石英盘理想地具有∞正好41.5微米的标♀称厚度。由于目标误差容差仅为+/-10ppm，实际值可能与理想值相差最大+/- 0.415纳米。这不Ψ到百万分之一毫米。

这种亚纳米范围的精度不能☉仅通过机械生产步骤来实现。石英制造商对这个问题的反应是，根据生产设备的︽特性，从一开始就将他们的晶体生产得过厚或过薄。然后〖对晶体进行微调，以实现所需的标称频率。日蚀独家首创的10ppm石英晶体EB1216JA10-24.576M TR,适合6GWIFI产品.

制造商零件¤编号	晶振厂家	描述	工作温度
EB2532JA12-26.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 26.0000MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB2532JA12-12.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB2532JA12-12.288M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 12.2880MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB2532JA12-16.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 16.0000MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB2532YA12-12.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 125°C
EB2532YA12-30.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 30.0000MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 125°C
EB2532YA12-32.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 32.0000MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 125°C
EB2532YA12-13.560M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 13.5600MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 125°C
EB2532YA12-24.576M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 24.5760MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 125°C
EB2532YA12-16.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 16.0000MHZ 12PF SMD	-40°C ~ 125°C
EB1216JA10-24.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 24.0000MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB1216JA10-24.576M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 24.5760MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB1216YA10-24.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 24.0000MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB1216YA10-24.576M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 24.5760MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB1620JA10-24.576M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 24.5760MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB1620JA10-25.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB1216YA10-32.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB1620JA10-32.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB1216YA10-27.120M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 27.1200MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EA2025JA18-30.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 30.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
EA2025SA10-32.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EB3250AYA08-8.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 8.0000MHZ 8PF SMD	-40°C ~ 125°C
E1SJA18-6.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 6.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-18.432M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 18.4320MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SFA18-4.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 4.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-14.31818M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 14.31818MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-6.144M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 6.1440MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-28.63636M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 28.63636MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-13.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 13.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-19.6608M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 19.6608MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-9.8304M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 9.8304MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-32.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 32MHZ 18PF SMD	-
EA2025MA10-16.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 16.0000MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
EA2025MA10-32.000M TR	ECLIPTEK晶振	CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1WCDA12-32.768K	Ecliptek晶振	CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF TH	-10°C ~ 60°C
E1SJA18-18.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 18.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-20.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 20.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-14.7456M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 14.7456MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SCA18-7.3728M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 7.3728MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SEA18-16.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 16.0000MHZ 18PF SMD	-20°C ~ 70°C
E1SEA18-12.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 12.0000MHZ 18PF SMD	-20°C ~ 70°C
E1SJA18-10.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 10.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-12.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 12.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-11.0592M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 11.0592MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-8.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 8.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-16.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 16.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-3.579545M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 3.579545MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-4.194304M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 4.194304MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-16.9344M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 16.9344MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-5.000M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 5.0000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C
E1SJA18-13.500M TR	Ecliptek晶振	CRYSTAL 13.5000MHZ 18PF SMD	-40°C ~ 85°C

微调:后蒸发或离子轰击

石英生产中的最后加工步骤之一是在石英盘的◣两面上施加电极。该电极对于电激励坯件的振荡是必要的。同时，这个电极也是下面两个微☆调石英过程的起点。

1)后蒸发/溅射:

为了能够使用后蒸发工艺(也称为“溅射”)，石英盘被制造得稍微太薄，以至于即使在施加电极之后，谐振频率ω也不会太高。为了纠正这一点，石英电极上蒸发了银。通过这种方式√№，应用了超薄银层，这增加了石英晶振的质量并□　降低了其频率。在此过程中，石英盘的→频率被连续测量。如果达到所需的标★称频率※，后蒸发立即停止。

2)通过离子轰击进行调整

制造的石英盘稍微太厚的先决条件意※味着即使在施加了电极之后，谐振频率仍然稍】微太低。在这种情况下，通过用足够高能量的离子进行目标轰击来减少电极的质量。通过减少」质量，频率不断增加。与溅射一样，在整个∑　过程中监控频率。一旦达到期望的标称频率，该过█程就结束。

适合所有无线应用的Ecliptek晶体

由于这两个微调过程，超薄和高□精度晶体可以制造各种各样的无线应用⊙。这些晶体的工作频率范围为16至52兆赫，容错能力仅为+/-10ppm，频率稳定性特别①高，专门设计用于无线设∮备。