Microchip出色稳定性的MEMS振荡器DSC1124CI2-048.0000T专为SDI视频监控♀而来,Microchip是一◥家拥有多元化的频率元器件制造商，经过长期的打磨与研发，开发了多路输出、高度灵活的基于石英晶振和MEMS的PureSilicon振荡器提供各种工业标准尺寸⊙，以□满足您的低功耗或低抖动应用的要求。使用我们的时钟®配置器和采样工具，可轻松定制您的振荡器，使其具▓有任意频率、温度、ppm和封装尺寸组合，以满足您的应用要求.

欧美晶振原厂代码	Manufacturer品牌	Series型号	Part Status	Type 类型	Frequency 频率	Voltage - Supply电压
DSC1123BI1-200.0000T	Microchip有源振荡◤器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	200MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI1-212.5000T	Microchip有源※振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	212.5MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI2-034.0000T	Microchip有源振荡∏器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	34MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI2-068.0000T	Microchip有源振◆荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	68MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI2-148.3520T	Microchip有源振荡●器〗	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	148.352MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI2-224.0000T	Microchip有源◥振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	224MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI2-225.0000T	Microchip有源振荡＠ 器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	225MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI5-010.0000T	Microchip有∮源振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	10MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI5-125.0000T	Microchip有源振荡∩器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI5-148.5000T	Microchip有源』振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	148.5MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BL1-125.0000T	Microchip有源振≡荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE1-200.0000T	Microchip有源振荡】器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	200MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE5-156.2500T	Microchip有源▂振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-025.0000T	Microchip有源↓振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-156.2500T	Microchip有源振■荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-166.0000T	Microchip有源振荡№器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	166MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-180.0000T	Microchip有源♂振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	180MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-244.0000T	Microchip有源振】荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	244MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-432.0000T	Microchip有√源振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	432MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI5-233.2090T	Microchip有︻源振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	233.209MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CL1-200.0000T	Microchip有源振荡▽器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	200MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-100.0000T	Microchip有源振荡■器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-125.0000T	Microchip有源◥振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-187.5000T	Microchip有源振荡¤器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	187.5MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI5-100.0000T	Microchip有源振卐荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI5-106.2500T	Microchip有源振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	106.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI5-125.0000T	Microchip有源振荡器	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123NI1-060.0000T	Microchip晶振	DSC1123	Active	MEMS (Silicon)	60MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124AI1-100.0000T	Microchip有源振荡器	DSC1124	Active	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124AL2-100.0000T	Microchip有源振荡器	DSC1124	Active	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CI2-048.0000T	Microchip有源振荡器	DSC1124	Active	MEMS (Silicon)	48MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CI2-200.0000T	Microchip有源振荡器	DSC1124	Active	MEMS (Silicon)	200MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001BI2-014.3180	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	14.318MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI2-022.2790	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	22.279MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI2-022.5792	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	22.5792MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI2-037.1250	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	37.125MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI2-056.7500	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	56.75MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI2-066.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	66MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI2-066.6660	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	66.666MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI5-012.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	12MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI5-025.2000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	25.2MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI5-032.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	32MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI5-033.3330	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	33.333MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL1-012.5000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	12.5MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL1-048.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	48MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-018.4320	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	18.432MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-020.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-025.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	25MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-125.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	125MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CC1-026.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	26MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CC1-032.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	32MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CC2-012.2880	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	12.288MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CC2-048.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	48MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE1-004.8000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	4.8MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE1-012.5000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	12.5MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE1-033.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	33MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE1-050.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	50MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE2-026.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	26MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE2-033.0000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	33MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE2-042.5000	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	42.5MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE2-074.2500	Microchip有源振荡器	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	74.25MHz	1.8 V ~ 3.3 V

编码DSC1124CI2-048.0000T，DSC1104和DSC1124系列的高位性能石英晶体振荡︻器∑采用了经过验证的硅MEMS技术提供卓越抖动和稳定性的范围很广电源电压和温度。通▂过消除了对石英或SAW的需求技术，MEMS振荡器显著提高可靠性，加速产品生产发展的同时，满足严格的时钟性能标准多种多样▓通信、存储和网络应用程序。

DSC1104有一个待机功能，允许它EN引脚为时完全断电拉低;而对于DSC1124，只有EN低时输出关闭。这两个

振荡器可在工业标准包装，包括小的3.2x2.5 mm，并且是标准的“插入式”替代品，6针HCSL石英晶体振▲荡器。

Microchip出色稳定性的MEMS振荡器DSC1124CI2-048.0000T专为SDI视频监控而来,有源晶体振荡器特性：低有□效值相位抖动:<1 ps(类型)，高稳定性:±10，±25，±50 ppm，宽温度范围，工业:-40°至85°C，其他商业◢用途:-20°至70°C，高电源噪声抑制:-50 dBc，短交货期:2周，宽频率范围:2.3至460兆赫，小型工业标准足迹，2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0 0x3.2， & 7.0 0x5.0 mm，卓越的抗冲击和抗振动能■力，符合MIL-STD-883标准，高可靠性比石英振荡器的MTF高20倍，低电流消耗，电源范围2.25至3.6 V，备用和输出使能功◣能，无铅和符合RoHS标准，LVPECL和LVDS版本可用.

应用程序：存储区域网络，SATA, SAS，光纤通道，无源光网络，EPON, 10G-EPON, GPON, 10G-PON
以太网，1G、10GBASE-T/KR/LR/SR和FCoE，高清/标清/SDI视频监控，PCI Express: Gen 1 & Gen 2，显示接口.